时间：2025/4/27 16:49:34
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WNM03362DR是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252封装形式。该器件主要应用于开关电源、直流电机驱动、负载开关等场景。其高击穿电压和低导通电阻特性使其非常适合在高效率和高密度的设计中使用。
该MOSFET具备出色的开关特性和较低的栅极电荷，能够显著减少开关损耗并提升系统性能。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：8A
导通电阻：1.7mΩ
栅源开启电压：2.5V
总栅极电荷：39nC
输入电容：1050pF
工作结温范围：-55℃ to +150℃
WNM03362DR具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可降低传导损耗。
2. 高速开关能力，适用于高频应用。
3. 较低的栅极电荷（Qg）以减少开关损耗。
4. 超薄型表面贴装封装（TO-252），有助于节省PCB空间。
5. 符合RoHS标准，环保且可靠。
6. 提供优秀的热性能表现，适合高功率密度设计。
这款MOSFET广泛用于多种电力电子领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. 直流/直流转换器中的功率级开关。
3. 电池保护电路及负载切换。
4. 电机控制与驱动应用。
5. 各种工业自动化设备中的功率管理模块。
IRFZ44N
STP80NF06
FDP5500
