时间：2025/12/29 14:40:21
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SSS3N80是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源转换、DC-DC变换器、电机控制、负载开关等高功率场景。该器件采用先进的平面工艺制造，具备高击穿电压、低导通电阻以及优异的热稳定性。SSS3N80的封装形式多为TO-220或DPAK等，便于散热和集成到各种电路设计中。作为一款800V耐压的MOSFET，它适用于工业电源、LED驱动器、适配器、家电控制模块等多种高电压应用领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：800V
栅源电压(Vgs)：±30V
连续漏极电流(Id)：3A（在25℃）
导通电阻(Rds(on))：典型值1.5Ω（最大2.0Ω）
功耗(Pd)：50W
工作温度范围：-55℃～150℃
封装形式：TO-220、DPAK（依厂商而定）
阈值电压(Vgs(th))：2V～4V
漏极-源极击穿电压(BVDSS)：800V
SSS3N80具备多项优异的电气与热性能特性。其800V的高耐压能力使其能够承受高压环境下的频繁开关操作，适用于需要高可靠性的工业电源系统。低导通电阻（Rds(on)）确保了在导通状态下的低功耗和高效能，有助于提升整体系统效率。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，即使在高负载条件下也能维持稳定工作，不易发生热失控现象。
SSS3N80采用了先进的平面工艺和优化的芯片结构设计，增强了其在高频开关应用中的表现。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高响应速度，适用于高频PWM控制电路。此外，该器件的封装设计考虑了散热需求，TO-220等封装形式能够有效将热量传导至散热片，提升整体散热性能。
在可靠性方面，SSS3N80具备优异的抗浪涌能力和短路保护特性，适用于负载变化较大的应用场景。其宽泛的工作温度范围使其能够在恶劣环境条件下稳定运行，如工业控制柜、户外LED显示屏驱动系统等。
SSS3N80因其高耐压、低导通电阻和良好的热性能，广泛应用于多个领域。在电源管理方面，常用于AC-DC开关电源、LED驱动器、适配器及电池充电器中作为主开关元件。在电机控制与负载开关应用中，可用于控制高电压电机、电磁阀、继电器等感性负载设备。此外，该MOSFET也适用于光伏逆变器、UPS不间断电源、工业自动化控制系统等对可靠性要求较高的场合。
在消费电子领域，SSS3N80可作为高电压LED背光驱动或智能家电中的电源开关使用。由于其具备较强的抗干扰能力和稳定性，也常用于医疗设备、测试仪器、工业测量仪表等精密电子系统中作为功率控制元件。
KIA3N80, FQP3N80, STF3NK80Z, IRFBC3N80
