2SK1277 时间：2025/8/9 18:51:37 阅读：27

2SK1277是一款N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、功率放大器、电机控制和负载开关等高功率场合。该器件由东芝（Toshiba）生产，具有较高的耐压能力和较大的连续漏极电流能力，适合在中等功率的电子系统中使用。该MOSFET通常采用TO-220或TO-252封装，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：900V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　最大连续漏极电流（Id）：8A（在25°C时）
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.95Ω（最大）
　　功率耗散（Pd）：80W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220、TO-252等

特性

2SK1277是一款专为高电压应用设计的功率MOSFET。其最大漏源电压为900V，使其适用于高压开关电路，如开关电源（SMPS）、高压DC-DC转换器和工业控制设备。该器件的导通电阻较低，在高电流下仍能保持较小的导通损耗，从而提高整体系统的效率。此外，2SK1277具备良好的热稳定性和较高的功率耗散能力，使其能够在高温环境下稳定运行。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，通常在10V至15V之间可实现完全导通，适用于多种驱动电路。同时，其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高系统响应速度。由于其高耐压和高电流能力，2SK1277在许多高压功率应用中具有出色的可靠性和稳定性。

应用

2SK1277主要应用于高压电源系统中，例如开关电源（SMPS）、高压电机驱动器、电池充电器、工业控制设备、DC-AC逆变器、LED照明驱动器以及各种高电压负载开关电路。由于其良好的导通特性和耐压能力，该器件在需要高压和中等电流控制的场合中被广泛采用。此外，它也可用于电源管理系统中的功率因数校正（PFC）电路，以提高电源的效率和稳定性。