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SSS1630A1-Q8C 发布时间 时间:2025/5/7 13:41:44 查看 阅读:22

SSS1630A1-Q8C 是一款基于硅技术设计的 N 没有 P 的功率场效应晶体管(MOSFET),适用于高效率开关和负载控制场景。其封装形式为 Q8C,具有出色的导通电阻和开关性能,能够在高频应用中提供高效的电力传输和转换。
  该器件主要应用于电源管理、电机驱动、逆变器、DC-DC 转换器以及电池保护等领域。它凭借低导通电阻和快速开关特性,成为许多高效能需求场景的理想选择。

参数

最大漏源电压:16V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:20nC
  开关速度:100kHz - 1MHz
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

SSS1630A1-Q8C 具备以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低功率损耗并提升整体效率。
  2. 高电流承载能力,支持高达 30A 的连续漏极电流,适合大功率应用场景。
  3. 快速开关特性,支持高达 MHz 级别的开关频率,减少能量损失。
  4. 小巧紧凑的 Q8C 封装设计,能够优化 PCB 布局并节省空间。
  5. 宽泛的工作温度范围,确保在极端环境下的稳定性和可靠性。
  6. 符合 RoHS 标准,绿色环保无铅设计。

应用

SSS1630A1-Q8C 广泛用于多种高性能电子设备中:
  1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器,用作主开关或同步整流元件。
  2. 电机驱动电路,包括步进电机、无刷直流电机等。
  3. 电池管理系统(BMS),用于电池充放电控制和保护。
  4. 工业自动化领域中的电磁阀和继电器驱动。
  5. 通信设备中的信号调节与功率分配。
  6. 消费类电子产品中的负载切换和功率管理模块。

替代型号

SSS1630A1-Q8B, SSS1630A1-Q8D