SSS1630A1-Q8C 是一款基于硅技术设计的 N 没有 P 的功率场效应晶体管(MOSFET),适用于高效率开关和负载控制场景。其封装形式为 Q8C,具有出色的导通电阻和开关性能,能够在高频应用中提供高效的电力传输和转换。
该器件主要应用于电源管理、电机驱动、逆变器、DC-DC 转换器以及电池保护等领域。它凭借低导通电阻和快速开关特性,成为许多高效能需求场景的理想选择。
最大漏源电压:16V
连续漏极电流:30A
导通电阻:1.5mΩ
栅极电荷:20nC
开关速度:100kHz - 1MHz
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
SSS1630A1-Q8C 具备以下显著特点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低功率损耗并提升整体效率。
2. 高电流承载能力,支持高达 30A 的连续漏极电流,适合大功率应用场景。
3. 快速开关特性,支持高达 MHz 级别的开关频率,减少能量损失。
4. 小巧紧凑的 Q8C 封装设计,能够优化 PCB 布局并节省空间。
5. 宽泛的工作温度范围,确保在极端环境下的稳定性和可靠性。
6. 符合 RoHS 标准,绿色环保无铅设计。
SSS1630A1-Q8C 广泛用于多种高性能电子设备中:
1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器,用作主开关或同步整流元件。
2. 电机驱动电路,包括步进电机、无刷直流电机等。
3. 电池管理系统(BMS),用于电池充放电控制和保护。
4. 工业自动化领域中的电磁阀和继电器驱动。
5. 通信设备中的信号调节与功率分配。
6. 消费类电子产品中的负载切换和功率管理模块。
SSS1630A1-Q8B, SSS1630A1-Q8D