时间：2025/7/18 8:46:04
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GRT1555C1H750FA02D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电源等领域。该芯片采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻、高效率和快速开关特性。
该器件主要以 N 沟道增强型场效应晶体管形式呈现，其出色的电气性能使其成为许多高功率应用的理想选择。此外，它还具备强大的过流保护功能以及热稳定性，确保在复杂环境下的可靠运行。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：48A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：95nC
开关速度：超高速
封装形式：TO-247
GRT1555C1H750FA02D 的关键特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低功耗并提高整体效率。
2. 快速开关能力，支持高频工作模式，减少开关损耗。
3. 内置过流和短路保护机制，提升了系统的安全性和可靠性。
4. 高度稳定的热性能，适用于高温或恶劣的工作环境。
5. 封装设计坚固耐用，适合表面贴装和自动化生产流程。
6. 支持大电流负载，能够满足工业设备和汽车电子等高功率需求场景。
GRT1555C1H750FA02D 适用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 工业电机驱动与控制。
3. 太阳能逆变器及储能系统。
4. 电动汽车中的电池管理系统 (BMS) 和牵引逆变器。
5. LED 驱动器和高效照明解决方案。
6. 其他需要高功率处理能力的电子设备和模块。
GRT1555C1H750FA01D, IRFZ44N, FDP5570N
