时间：2025/8/25 6:01:38
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SSP7N15是一款由STMicroelectronics制造的高性能N沟道增强型功率MOSFET，适用于高效率的电源管理和功率转换应用。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和快速开关特性，能够承受较高的电流和电压应力，是工业控制、汽车电子和消费类电源系统中的常用元件。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：150V
最大漏极电流(Id)：7A（连续）
导通电阻(Rds(on))：典型值0.45Ω（最大值0.6Ω）
栅极电压(Vgs)：±20V
最大功耗(Pd)：125W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220、D2PAK、TO-252等
SSP7N15具有优异的导通和开关性能，主要得益于其优化的硅片设计和先进的封装技术。该器件的低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率；同时，其高耐压能力（150V）确保了在高压应用中的可靠性。此外，SSP7N15具有快速的开关速度，能够减少开关损耗，并支持高频操作，适用于高功率密度的电源设计。该MOSFET还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其封装形式多样，适应不同的PCB布局需求。
SSP7N15广泛应用于各类功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统、逆变器以及汽车电子控制系统等。在汽车应用中，它可用于车身控制模块、车载充电器和电动助力转向系统。在工业领域，SSP7N15常用于PLC、伺服驱动器和工业电源模块。
STP7NK15Z、IRF740、IRFZ44N、FDPF7N15、FQP7N15
