型号：RP100N131B-TR-F
　　制造商：Ricoh（理光）
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：40V
　　栅源电压VGS：±12V
　　连续漏极电流ID：10A（TC=70°C）
　　脉冲漏极电流IDM：35A
　　导通电阻RDS(on)：13.1mΩ（@ VGS=10V, ID=5A）
　　导通电阻RDS(on)：16.8mΩ（@ VGS=4.5V, ID=5A）
　　阈值电压Vth：1.2V ~ 2.3V
　　输入电容Ciss：980pF（@ VDS=20V）
　　输出电容Coss：230pF（@ VDS=20V）
　　反向传输电容Crss：45pF（@ VDS=20V）
　　栅极电荷Qg：13nC（@ VGS=10V）
　　开启延迟时间td(on)：12ns
　　关断延迟时间td(off)：20ns
　　工作结温范围Tj：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：DFN2020-6（双侧冷却）
　　安装方式：表面贴装SMT

RP100N131B-TR-F具备出色的导通性能和开关特性，能够在高频率下实现高效的能量转换。其核心优势之一是极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V条件下仅为13.1mΩ，显著降低了导通损耗，提升了系统整体效率，尤其适合大电流应用场景。该器件在VGS=4.5V时仍能保持16.8mΩ的低导通电阻，表明其在低电压驱动条件下依然具备良好的性能表现，适用于由逻辑电平信号直接驱动的电路设计。得益于先进的沟槽结构工艺，该MOSFET拥有较高的载流子迁移率和均匀的电场分布，有效抑制了局部热点的形成，提高了长期工作的可靠性和热稳定性。
　　该器件的输入电容和输出电容较小，结合仅13nC的总栅极电荷，使其在高频开关应用中表现出色，能够快速响应栅极驱动信号，减少开关过渡时间，进而降低动态损耗。同时，较短的开启和关断延迟时间（分别为12ns和20ns）进一步增强了其高速开关能力，适用于同步整流、半桥或全桥拓扑结构中的功率切换。
　　RP100N131B-TR-F采用DFN2020-6封装，尺寸紧凑（2.0mm x 2.0mm），并支持双侧散热设计，顶部和底部均可进行热传导，极大提升了散热效率，即使在高功率密度环境下也能维持较低的工作温度。这种封装还减少了寄生电感和电阻的影响，有利于提升EMI性能。此外，该器件具有良好的雪崩耐受能力和静电放电（ESD）防护能力，增强了在瞬态过压或负载突变情况下的鲁棒性。所有这些特性共同使RP100N131B-TR-F成为现代高效、小型化电源系统中理想的功率开关选择。

RP100N131B-TR-F广泛应用于多种需要高效、小型化功率开关的电子系统中。典型应用包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池电源管理电路，用于实现负载开关、电源路径控制和充放电管理功能。在DC-DC降压或升压转换器中，该器件常作为同步整流开关使用，利用其低导通电阻和快速开关特性来提升转换效率，尤其是在多相供电架构中发挥重要作用。
　　此外，它也适用于电机驱动电路，例如微型直流电机或步进电机的H桥驱动模块，在工业自动化、智能家居设备和无人机控制系统中提供精确的电流控制能力。在LED背光或照明驱动方案中，RP100N131B-TR-F可用于PWM调光控制，实现高精度亮度调节。
　　由于其高可靠性与优良的热性能，该MOSFET也被用于通信模块（如Wi-Fi、蓝牙模组）的电源开关，以及各类嵌入式系统的电源分配网络中，执行上电时序控制或模块级电源启停。在工业测量仪器、医疗电子设备和便携式测试工具中，该器件同样扮演着关键角色，保障系统在宽温范围内的稳定运行。总之，凡是需要高效、小体积、高电流能力的N沟道MOSFET的应用场景，RP100N131B-TR-F都是一个极具竞争力的选择。

SiSS100DN-T1-E3
　　AOZ5215NQI-02
　　FDMS7680S
　　IRLHS6296PbF
　　TPSMB100N06