时间：2025/8/4 17:28:58
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SSP6N55A是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于需要高效功率转换和控制的场合。该器件采用先进的平面工艺制造，具备优异的导通电阻和开关特性，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：550V
栅极-源极电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：6A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω（最大值）
功率耗散（Pd）：50W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
SSP6N55A具有低导通电阻，能够在高电压和大电流条件下提供高效的功率传输。其高耐压特性（550V）使其适用于高压电源应用，同时具备良好的热稳定性和可靠性。该器件的栅极驱动要求较低，简化了驱动电路的设计，并且具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定运行。此外，SSP6N55A的封装设计（TO-220）提供了良好的散热性能，有助于提高整体系统的热管理效率。
SSP6N55A广泛应用于各种功率电子设备中，如开关电源、AC-DC适配器、DC-DC转换器、逆变器和电机控制电路。它也适用于工业自动化设备、家用电器和LED照明驱动电路中的功率开关应用。
FQP6N55A, IRF6N55A, STP6NK55Z
