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GA0805A271JXEBR31G 发布时间 时间:2025/6/3 19:28:13 查看 阅读:6

GA0805A271JXEBR31G 是一款基于砷化高性能射频功率放大器芯片。该器件广泛应用于无线通信领域,如蜂窝基站、点对点无线电和卫星通信系统中。其设计旨在提供高增益、高线性度以及出色的效率表现,特别适合于多载波和复杂调制信号的应用场景。
  该芯片采用先进的半导体技术,确保在高频段下具有卓越的性能表现,并且能够适应各种复杂的射频环境需求。

参数

型号:GA0805A271JXEBR31G
  工作频率范围:800 MHz 至 6000 MHz
  输出功率:30 dBm 典型值
  增益:15 dB 典型值
  电源电压:5 V
  静态电流:400 mA 典型值
  封装形式:SMT 封装
  尺寸:5mm x 5mm
  接口类型:50Ω 匹配输入输出
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

GA0805A271JXEBR31G 的主要特点是其能够在宽频带范围内保持稳定的增益和线性度。通过内置匹配网络,该芯片简化了外部电路设计并减少了外围元件数量。
  此外,它还具备以下优势:
  - 高效率:在高输出功率条件下仍能维持较高的能量转换效率。
  - 稳定性强:即使在极端温度变化的情况下,也能保持性能的一致性。
  - 易于集成:紧凑的封装形式使其非常适合现代高密度电路板布局。
  - 抗干扰能力强:针对复杂的电磁环境进行了优化设计,从而减少外部干扰的影响。
  - 支持多种调制方式:兼容包括 QPSK、QAM 在内的多种数字调制格式。

应用

此芯片适用于广泛的射频应用场景,包括但不限于:
  - 蜂窝基站:用于 LTE 和 5G NR 系统中的上行链路放大。
  - 微波点对点通信:为长距离数据传输提供可靠的射频信号增强。
  - 卫星通信终端:支持 Ku 波段和 Ka 波段的地面站设备。
  - 工业、科学与医疗(ISM)频段设备:如无线传感器网络和远程监控系统。
  - 测试测量仪器:作为信号源或功率放大组件使用。

替代型号

GA0805A271JXEBR29F
  GA0805A271JXEBR30H

GA0805A271JXEBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容270 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-