时间：2025/6/3 15:06:12
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SIR436DP-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术，旨在提供卓越的导通电阻性能和高效的开关特性。其设计适用于需要低导通损耗的应用场景，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备等。此 MOSFET 的封装形式为 PowerPAK? 1212-8，具有出色的散热性能和紧凑的尺寸。
该型号特别适合用于高频开关应用中，能够显著提高系统的效率并减少热损耗。
最大漏源电压：40V
最大连续漏极电流：18A
最大栅极源极电压：±20V
导通电阻（Rds(on)）：3.5mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷：17nC
输入电容：920pF
总功耗：35W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
SIR436DP-T1-GE3 基于 Vishay 的先进 TrenchFET 技术制造，具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，确保在高电流应用中的低损耗表现。
2. 高效的开关性能，得益于优化的栅极电荷设计。
3. 紧凑型 PowerPAK? 1212-8 封装，有助于节省电路板空间。
4. 出色的热性能，使器件能够在严苛的工作条件下稳定运行。
5. 宽泛的工作温度范围，使其适用于各种工业和消费类电子应用。
6. 符合 RoHS 标准，支持环保要求。
SIR436DP-T1-GE3 广泛应用于多个领域，包括但不限于以下方面：
1. 便携式电子产品中的 DC-DC 转换器。
2. 开关电源 (SMPS) 和同步整流电路。
3. 电动工具和家用电器中的电机控制。
4. 通信设备中的负载开关。
5. 工业自动化系统中的信号处理和驱动模块。
6. 电池管理系统 (BMS) 中的保护和能量管理电路。
其优异的电气特性和可靠性使得该 MOSFET 成为众多高性能应用的理想选择。
SIR436DP, SIR436DN, SiR436DP-T1
