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SSP60N06 发布时间 时间:2025/6/6 18:55:03 查看 阅读:4

SSP60N06是一款N沟道功率MOSFET,具有低导通电阻和高开关速度的特点。该器件采用TO-220封装形式,适用于多种电力电子应用场合,例如开关电源、电机驱动器、DC-DC转换器等。其耐压能力为60V,适合中低压应用场景。

参数

最大漏源电压:60V
  最大连续漏极电流:30A
  导通电阻:45mΩ
  栅极电荷:18nC
  开关时间:典型值ton=9ns,toff=15ns
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

SSP60N06具备较低的导通电阻(Rds(on)),这使得其在高电流应用中能够有效减少传导损耗。
  此外,由于其栅极电荷较小,因此可以实现较高的开关频率,从而提升系统效率并降低热损耗。
  它还拥有优秀的热稳定性和可靠性,能够在较宽的工作温度范围内保持性能稳定。
  SSP60N06采用了先进的半导体制造工艺,确保了其卓越的电气特性和长时间使用的耐用性。

应用

SSP60N06主要应用于以下领域:
  1. 开关电源中的功率级开关。
  2. 各种类型的DC-DC转换器。
  3. 电机驱动电路。
  4. 电池管理系统中的负载切换开关。
  5. 汽车电子设备及工业控制装置。

替代型号

IRFZ44N
  STP30NF06
  FDP17N6

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