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IXFX120N25 发布时间 时间:2024/9/23 11:39:13 查看 阅读:106

参数

类别:分离式半导体产品
  家庭:MOSFET,GaNFET-单
  系列:HiPerFET?
  FET型:MOSFET N通道,金属氧化物
  FET特点:标准型
  开态Rds(最大) Id,Vgs 25°C:22毫欧 500mA,10V
  漏极至源极电压(Vdss):250V
  电流-连续漏极(Id) 25°C:120A
  Id时的Vgs(th)(最大):4V 8mA
  闸电荷(Qg) Vgs:400nC 10V
  在Vds时的输入电容(Ciss):9400pF 25V
  功率-最大:560W

封装参数

安装类型:通孔
  封装/外壳:PLUS247?-3
  包装:管件

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IXFX120N25参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)250V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C120A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C22 毫欧 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 8mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs400nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds9400pF @ 25V
  • 功率 - 最大560W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装PLUS247?-3
  • 包装管件