SP8M8FRA 时间：2025/11/7 20:04:49 阅读：7

SP8M8FRA是一款由Littelfuse公司生产的表面贴装瞬态抑制二极管（TVS）阵列，专为保护高速数据线路和敏感电子元件免受静电放电（ESD）、电快速瞬变脉冲群（EFT）以及雷击感应浪涌等瞬态电压事件的损害而设计。该器件采用紧凑的SOD-882封装，适用于空间受限的应用场景，如便携式消费电子产品、通信设备及工业控制系统。SP8M8FRA集成了多个高性能TVS二极管，能够提供双向过压保护，确保在正负极性瞬态事件下均能有效钳制电压，防止下游电路受损。其低电容特性使其非常适合用于USB、HDMI、以太网和其他高速信号接口的保护，不会对信号完整性造成显著影响。此外，该器件具有极快的响应时间，通常在皮秒级别，能够在瞬态事件发生的瞬间迅速导通并将能量泄放到地，从而维持被保护线路上的电压稳定在安全范围内。SP8M8FRA符合IEC 61000-4-2国际电磁兼容标准中关于静电防护的要求，支持接触放电高达±8kV和空气放电高达±15kV的防护等级，满足大多数严苛环境下的可靠性需求。由于其优异的电气性能和小型化设计，SP8M8FRA广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、可穿戴设备以及其他需要高密度布局与高效能保护方案的现代电子系统中。

参数

类型：TVS二极管阵列
　　通道数：4通道
　　工作电压（VRWM）：8V
　　击穿电压（VBR）：9V @ 1mA
　　最大峰值脉冲电流（IPP）：3A
　　钳位电压（VC）：15V @ IPP
　　电容值（C）：典型值为0.7pF（f=1MHz）
　　封装形式：SOD-882
　　极性：双向
　　ESD耐受能力：±15kV（空气放电），±8kV（接触放电）符合IEC 61000-4-2 Level 4标准
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

SP8M8FRA的核心特性之一是其超低电容设计，典型值仅为0.7pF，在高频信号传输路径中几乎不会引入额外的负载效应或导致信号衰减、反射和延迟等问题，因此特别适合用于保护USB 2.0、HDMI、DisplayPort、SD卡接口等高速数据线路。这种低电容特性得益于内部优化的PN结结构与材料工艺，能够在保持优异瞬态响应能力的同时最大限度降低寄生电容。
　　另一个关键优势是其强大的ESD防护能力，能够承受IEC 61000-4-2标准中最高等级（Level 4）的静电冲击，包括±15kV空气放电和±8kV接触放电。这意味着即使在极端静电环境下，例如人体直接触摸连接器端口时产生的高压火花，SP8M8FRA也能可靠地将瞬态能量引导至地线，避免敏感IC如微控制器、电源管理单元或通信芯片受到损坏。同时，该器件还具备良好的EFT和浪涌抗扰度，适用于工业现场可能存在电磁干扰的复杂应用场景。
　　SP8M8FRA采用SOD-882小型表面贴装封装，尺寸仅为约1.0mm × 0.6mm × 0.5mm，极大节省了PCB布板空间，非常适合高密度集成的便携式电子设备使用。其双向导通特性意味着无需考虑信号极性，简化了电路设计与布局过程。此外，器件具有极快的响应时间（通常小于1纳秒），能在瞬态电压出现后的极短时间内进入雪崩导通状态，实现有效的电压钳位。热稳定性方面，SP8M8FRA可在-55°C至+150°C宽温范围内稳定工作，适应从寒冷户外到高温密闭环境的各种应用条件。整体而言，该TVS阵列在性能、尺寸与可靠性之间实现了良好平衡，是现代电子系统中理想的前端保护解决方案。

应用

SP8M8FRA主要用于各类需要高等级静电和瞬态电压保护的电子设备中，尤其是在高速数据接口领域应用广泛。典型应用场景包括智能手机和平板电脑中的USB Type-A/C接口、耳机插孔、SIM卡槽和显示屏连接器等部位，用于防止用户日常插拔操作中引入的静电对内部芯片造成损伤。在笔记本电脑和超极本中，它常被部署于Thunderbolt、HDMI和LAN端口附近，提升整机的电磁兼容性和长期运行稳定性。
　　此外，该器件也适用于工业自动化设备中的通信模块，如RS-485、CAN总线接口，用以抵御工厂环境中常见的电快速瞬变和感应雷击脉冲。在消费类物联网设备如智能手表、无线耳机和智能家居控制面板中，SP8M8FRA凭借其微型封装和低电容特性，成为保护传感器信号线和无线射频前端的理想选择。医疗电子设备中对可靠性和安全性要求极高，该TVS阵列可用于病人连接接口的初级防护，防止意外静电放电影响诊断精度或危及使用者安全。其他潜在应用还包括数字标牌、POS终端、网络交换机以及汽车信息娱乐系统的外部接口保护。总之，任何存在暴露连接器并面临ESD威胁的电子产品均可考虑采用SP8M8FRA作为其第一道防线。