时间：2025/5/19 10:37:30
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DS1742-120+ 是一款高性能的非易失性静态随机存取存储器（NVSRAM），由 Maxim Integrated 生产。它结合了 SRAM 的高速读写特性和非易失性存储的功能，能够在断电时通过外部电池或超级电容保留数据。DS1742-120+ 提供了 128K x 8 位的存储容量，适合需要快速访问和长期保存数据的应用场景。
该芯片支持标准的同步接口，并具备自动切换模式功能，可以在正常操作和非易失性存储之间无缝转换，从而简化系统设计并提高可靠性。
存储容量：128K x 8位
数据宽度：8位
工作电压：3V 至 5.5V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：44 引脚 TSOP-II
数据保持时间：超过10年（依赖于备用电源）
写入周期：无限制
访问时间：最高可达70ns
功耗：低功耗模式下典型值为1μW
DS1742-120+ 具备以下主要特性：
1. 非易失性存储功能，能够在主电源断开时依靠备用电源保护数据完整性。
2. 高速 SRAM 接口，支持同步读写操作，满足实时数据处理需求。
3. 内置控制器用于管理电源切换逻辑，确保数据在不同电源状态下的安全。
4. 支持多种供电模式，包括主电源、备用电源以及混合供电模式。
5. 集成了写保护功能，防止意外写入或篡改数据。
6. 可靠性高，适用于工业级和商业级应用环境。
7. 封装小巧且引脚兼容性强，便于集成到各种嵌入式系统中。
DS1742-120+ 广泛应用于需要快速数据访问和长期数据保存的领域，例如：
1. 工业自动化设备中的配置参数存储与运行日志记录。
2. 医疗设备的数据备份与关键信息保存。
3. 通信网络中的路由表存储及临时数据缓存。
4. 计量仪表中的历史数据记录与校准参数保存。
5. 汽车电子系统的控制单元数据存储。
6. 数据记录仪和其他需要频繁读写的嵌入式系统。
DS1742-120, DS1742-120E, CY14B101PA, MX29LV160BB
