SAL0M02 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的电子元器件芯片,属于半导体分立器件类别。该器件是一款通用型的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、开关电路、电机控制、负载驱动等领域。SAL0M02 具有高耐压、低导通电阻以及良好的热性能,适合在多种工业和消费类电子设备中使用。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压(VDS):600 V
栅源电压(VGS):±30 V
连续漏极电流(ID):2 A
脉冲漏极电流(IDM):4 A
导通电阻(RDS(on)):3.5 Ω(典型值)
功耗(PD):50 W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-220
SAL0M02 是一款性能稳定的 N 沟道增强型 MOSFET,具有出色的耐压能力和较低的导通电阻。其最大漏源电压为 600V,适用于高电压应用,例如电源开关、AC-DC 转换器和电机控制电路。该器件的栅源电压范围为 ±30V,具备良好的栅极控制能力,能够在多种驱动条件下稳定工作。
由于其导通电阻仅为 3.5Ω(典型值),SAL0M02 在导通状态下具有较低的功率损耗,有助于提高整体系统的效率并减少发热。此外,该器件的最大连续漏极电流为 2A,脉冲漏极电流可达 4A,适合处理中等功率的负载控制任务。
SAL0M02 采用 TO-220 封装形式,这种封装具有良好的散热性能和机械稳定性,适用于多种 PCB 安装场景。TO-220 封装也便于与散热片配合使用,从而进一步提高器件的热管理能力,延长使用寿命。
在工作温度方面,SAL0M02 支持 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围,适应性强,能够在恶劣的环境条件下稳定运行。其最大功耗为 50W,确保在高负载情况下仍能保持良好的工作状态。
SAL0M02 常用于电源管理系统、开关模式电源(SMPS)、电机控制电路、照明控制、家用电器和工业自动化设备中。该器件特别适用于需要高耐压和中等电流能力的场合,如 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器、继电器替代和负载开关控制。此外,SAL0M02 还可用于电池管理系统、UPS(不间断电源)、逆变器以及智能电表等应用中,提供可靠的功率控制解决方案。
SAL0M04, STP6NK60Z, STP80NF55-06