时间：2025/9/3 7:16:04
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SSP28003GCR2 是一款由 Sanken（三健）公司制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效功率转换的电子设备中。该器件设计用于在高频率下工作，具备低导通电阻和高耐压能力，能够提供出色的能效和热稳定性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：600V
漏极电流(Id)：12A
导通电阻(Rds(on))：0.35Ω
功率耗散(Pd)：100W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
SSP28003GCR2 的核心特性之一是其优异的导通性能，低导通电阻确保了在高电流条件下依然能够保持较低的功率损耗。这种MOSFET的高耐压能力（600V）使其非常适合用于高压应用，例如开关电源、逆变器和电机控制。此外，该器件具备良好的热管理特性，能够在高功率操作条件下保持稳定，同时减少散热器的需求。
其TO-220封装形式不仅提供了良好的散热性能，还确保了在各种电路板设计中的兼容性和安装便利性。器件的快速开关能力也使其适用于高频操作环境，进一步提升了系统的整体效率。此外，该MOSFET的可靠性较高，能够在苛刻的工业环境中长期稳定运行。
SSP28003GCR2 主要应用于以下领域：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、UPS（不间断电源）、照明控制系统以及工业自动化设备。其高压和高电流能力使其成为各种高功率密度设计的理想选择。此外，该器件还可用于需要高效能功率管理的消费类电子产品中，如高端电源适配器和LED照明驱动器。
IPP60R190C6, STF12NM60N
