型号：PHR20NQ20T
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：200 V
　　最大漏极电流（ID）：20 A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：80 A
　　最大栅源电压（VGS）：±30 V
　　最大功耗（PD）：100 W
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值 85 mΩ @ VGS = 10 V, 最大值 105 mΩ @ VGS = 10 V
　　阈值电压（VGS(th)）：典型值 3.5 V，范围 2.0 ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：典型值 2300 pF @ VDS = 25 V
　　输出电容（Coss）：典型值 440 pF @ VDS = 25 V
　　反向恢复时间（trr）：典型值 37 ns
　　栅极电荷（Qg）：典型值 65 nC @ VGS = 10 V
　　二极管正向电压（VSD）：典型值 1.5 V @ IS = 20 A
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +175 °C
　　封装：PowerFLAT 5x6

PHR20NQ20T基于STMicroelectronics的StripFET? F7技术平台，采用了创新的条状栅极结构设计，显著降低了器件的导通电阻与寄生电感，从而在高频开关应用中表现出更低的传导损耗和更高的效率。其典型的RDS(on)仅为85mΩ，在200V耐压等级的MOSFET中属于领先水平，有助于减少功率损耗并降低散热需求。该器件的栅极电荷（Qg）控制在65nC左右，有效减少了驱动电路的能量消耗，特别适用于高频率工作的DC-DC变换器拓扑如LLC谐振转换器或有源钳位反激式电源。同时，较低的输出电容（Coss）意味着更少的关断损耗，进一步提升系统能效。
　　该MOSFET具备出色的热稳定性与长期可靠性，其PowerFLAT 5x6封装不仅体积小巧（5mm x 6mm），而且底部带有裸露焊盘，可通过PCB实现高效散热，热阻（RthJC）低至1.25°C/W，确保在高负载条件下仍能维持安全的工作温度。器件支持宽泛的结温工作范围（-55°C至+175°C），适应严苛的工业环境。内置体二极管具有较快的反向恢复特性（trr约37ns），可减少换流过程中的尖峰电压和电磁干扰（EMI），提高系统鲁棒性。此外，PHR20NQ20T通过了AEC-Q101汽车级认证，表明其在振动、湿度和温度循环等恶劣条件下仍具备高度可靠性，可用于车载电源系统。
　　该器件还具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中吸收一定的能量而不损坏，提升了系统的故障容忍度。其±30V的栅源电压容限也增强了对驱动信号噪声的抵抗能力，避免因栅极过压导致击穿。综合来看，PHR20NQ20T凭借低RDS(on)、优化的开关参数、优良的热性能及高可靠性，成为中高压功率转换领域的理想选择。

PHR20NQ20T广泛应用于多种中高功率电源系统中，尤其适用于需要高效能和小尺寸封装的设计场景。常见应用包括工业用开关模式电源（SMPS），特别是在连续导通模式（CCM）功率因数校正（PFC）电路中作为主开关管使用；在DC-DC降压或半桥/全桥拓扑中担任主功率开关，用于服务器电源、通信电源模块和工业电源单元。由于其具备良好的高频响应特性和低开关损耗，也常用于高频LLC谐振转换器中，以实现软开关操作，提高整体电源效率。此外，该器件适用于电池储能系统中的充放电控制回路，以及电动工具、无人机和轻型电动车中的电机驱动电路。在太阳能逆变器系统中，PHR20NQ20T可用于直流侧开关或辅助电源模块，提供稳定可靠的功率控制能力。其通过AEC-Q101认证的特性使其也可应用于车载充电机（OBC）、DC-DC转换器等汽车电子领域。在UPS不间断电源、医疗电源设备和高端消费电子产品中，该MOSFET同样展现出卓越的性能表现。得益于PowerFLAT 5x6的小型化封装，它还能满足对PCB空间高度敏感的设计需求，例如嵌入式电源模块和便携式高功率设备。

STW20N200K5
　　STP20N200K5
　　IRFPG50
　　FDP20N20S