SSM6N43FU 时间：2025/6/29 1:12:10 阅读：6

SSM6N43FU是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-252(DPAK)封装形式，广泛应用于各种需要高效开关和低导通电阻的场景。其主要特点是具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，同时具备良好的热性能和耐用性，适用于多种工业和消费类电子应用。

参数

型号：SSM6N43FU
　　封装：TO-252 (DPAK)
　　Vds (漏源极电压)：40V
　　Rds(on) (导通电阻)：150mΩ
　　Id (连续漏极电流)：4.3A
　　Ptot (总功耗)：1.7W
　　fmax (最高工作频率)：5MHz
　　Vgs(th) (阈值电压)：2.0V ~ 4.0V
　　Tj (结温范围)：-55℃ ~ 150℃

特性

SSM6N43FU具有以下显著特点：
　　1. 低导通电阻（Rds(on)），有助于降低导通损耗并提高效率。
　　2. 小型化封装设计（TO-252/DPAK），适合空间受限的应用。
　　3. 高电流承载能力，能够承受高达4.3A的连续漏极电流。
　　4. 工作频率可达5MHz，适用于高频开关应用。
　　5. 阈值电压范围为2.0V至4.0V，保证了器件在低压驱动下的可靠操作。
　　6. 宽泛的工作温度范围（-55℃到150℃），使其适合于各种恶劣环境中的使用。
　　7. 具备优异的热稳定性和抗浪涌能力，延长了产品的使用寿命。

应用

SSM6N43FU广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）和DC-DC转换器中的开关元件。
　　2. 各种电机驱动电路，如步进电机、直流无刷电机等。
　　3. 消费类电子产品中的负载开关和保护电路。
　　4. 照明控制，包括LED驱动器和调光器。
　　5. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制和保护电路。
　　6. 工业自动化设备中的信号放大和驱动电路。
　　7. 通信设备中的功率管理模块。