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PC3Q67QKJ00F 发布时间 时间:2025/8/27 15:12:13 查看 阅读:8

PC3Q67QKJ00F是一款由三星(Samsung)制造的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,专为高性能计算和数据存储应用设计。该芯片属于DDR3 SDRAM(双倍数据速率第三代同步动态随机存取存储器)系列,具有较高的数据传输速率和较低的功耗。PC3Q67QKJ00F通常用于服务器、工作站、高端台式机以及需要大容量内存和高速数据处理能力的设备中。该芯片采用先进的制造工艺,确保了稳定性和可靠性,是现代计算机系统中不可或缺的组件之一。

参数

容量:1GB
  类型:DDR3 SDRAM
  电压:1.5V(标准)
  时钟频率:800MHz
  数据速率:1600Mbps
  数据宽度:x8
  封装类型:TSOP(薄型小外形封装)
  工作温度范围:0°C至+85°C
  刷新周期:64ms
  封装尺寸:54mm x 31mm
  引脚数:50pin

特性

PC3Q67QKJ00F DDR3 SDRAM芯片具备多项先进特性,使其在高性能计算环境中表现出色。
  首先,该芯片支持多种突发长度模式,包括突发长度BL8和BC4(Burst Chop),允许用户根据具体应用需求选择合适的模式,以优化数据传输效率。突发长度BL8模式下,每次突发传输可以连续读取或写入8个数据单元,而BC4模式则适用于短数据块的快速传输,提升系统响应速度。
  其次,PC3Q67QKJ00F支持多种预取机制,包括自动预取和自适应预取。这些功能可以有效减少内存访问延迟,提高内存带宽利用率。自动预取机制可以根据内存访问模式预测下一个需要访问的内存地址,并提前加载数据,从而减少等待时间。自适应预取则可以根据系统负载动态调整预取策略,进一步提升系统性能。
  此外,该芯片还具备低功耗特性。DDR3 SDRAM相比前代DDR2 SDRAM在电压方面有所降低,PC3Q67QKJ00F的标准工作电压为1.5V,相比1.8V的DDR2芯片,能够在不牺牲性能的前提下显著降低功耗,减少热量产生。这对于需要长时间运行的服务器和工作站尤为重要,有助于提高系统的稳定性和可靠性。
  PC3Q67QKJ00F还支持多种刷新模式,包括自动刷新和自刷新。自动刷新可以在系统运行期间定期刷新内存单元,确保数据完整性;而自刷新则允许芯片在低功耗状态下保持数据不丢失,特别适用于需要长时间待机的应用场景。这种灵活的刷新机制不仅提高了内存的稳定性,还进一步优化了功耗管理。
  最后,该芯片采用了TSOP封装技术,具有良好的散热性能和机械稳定性。TSOP封装结构紧凑,能够有效减少信号干扰,提高数据传输的稳定性。同时,其50pin的引脚配置提供了足够的电源和接地引脚,确保芯片在高频工作状态下仍能保持稳定的电压供应,避免因电压波动导致的数据错误或系统不稳定。

应用

PC3Q67QKJ00F DDR3 SDRAM芯片广泛应用于需要高性能内存解决方案的设备中。最常见的应用包括服务器、工作站、高端台式机以及嵌入式系统。在服务器和工作站环境中,PC3Q67QKJ00F能够提供充足的数据带宽和低延迟访问能力,支持多线程处理和大规模数据运算,满足企业级应用对内存性能的高要求。在高端台式机中,该芯片能够显著提升游戏、视频编辑、3D建模等资源密集型应用程序的运行效率,提供更流畅的用户体验。此外,PC3Q67QKJ00F还可用于工业控制、通信设备、医疗仪器等对内存稳定性和可靠性有较高要求的领域。其低功耗特性也使其适用于需要长时间运行的嵌入式系统和便携式设备,帮助延长电池寿命并减少散热需求。

替代型号

PC3-12800 1GB DDR3 SDRAM芯片
  MT48LC16M16A2B4-6A 1GB DDR3 SDRAM芯片
  H5TQ1G63AFR 1GB DDR3 SDRAM芯片

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PC3Q67QKJ00F参数

  • 制造商Sharp Microelectronics
  • 产品种类晶体管输出光电耦合器
  • 配置4 Channel
  • 输入类型DC
  • 最大集电极/发射极电压80 V
  • 最大集电极/发射极饱和电压0.2 V
  • 绝缘电压2500 Vrms
  • 电流传递比600 %
  • 最大正向二极管电压1.4 V
  • 最大集电极电流50 mA
  • 最大功率耗散170 mW
  • 最大工作温度+ 100 C
  • 最小工作温度- 30 C
  • 封装 / 箱体SMD-16
  • 封装Reel
  • 最大下降时间18 us
  • 最大输入二极管电流50 mA
  • 最大反向二极管电压6 V
  • 最大上升时间18 us
  • 输出设备Phototransistor
  • 输出类型DC
  • 工厂包装数量1000