时间：2025/6/24 8:27:26
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IRF532是一种N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于功率放大器、开关电源、逆变器以及电机驱动等场景。该器件采用TO-220封装形式，具备低导通电阻和高电流处理能力的特点，能够在高频开关应用中提供高效的性能表现。
IRF532的主要特点在于其较高的漏源电压承受能力（Vds=100V）和大电流输出（Id=16A），同时它具有较低的输入电容，这使得其在高频开关电路中的表现尤为突出。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：16A
栅源电压：±20V
输入电容：870pF
导通电阻：0.18Ω
功耗：140W
工作温度范围：-65℃至+150℃
IRF532是一款高性能的功率MOSFET，其主要特性包括：
1. 高漏源电压承受能力（100V），适合高压应用场景。
2. 支持高达16A的连续漏极电流，满足大电流负载需求。
3. 具备低导通电阻（0.18Ω），可有效降低功率损耗。
4. 较低的输入电容（870pF），有助于提升开关速度并减少开关损耗。
5. 工作温度范围宽广（-65℃至+150℃），适应各种恶劣环境下的使用。
6. TO-220封装形式便于散热设计，确保长期稳定运行。
IRF532适用于多种功率电子应用领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源（SMPS）设计中的主开关或同步整流元件。
2. 电机驱动电路中的功率控制元件。
3. 逆变器及DC-DC转换器的核心功率开关元件。
4. 音频功率放大器中的开关或保护元件。
5. 各类工业控制设备中的功率管理模块。
IRF540, IRFZ44N
