时间：2025/5/20 17:18:18
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SSM6N16FE 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等场景。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：16A
导通电阻（典型值）：7.5mΩ
栅极电荷：28nC
总电容（输入电容）：130pF
开关时间：开通时间 40ns，关断时间 18ns
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
SSM6N16FE 的主要特点是其出色的电气性能和可靠性。它采用 TO-220 封装，便于散热设计，并且支持表面贴装技术（SMD），从而简化了 PCB 布局。此外，其低导通电阻使得传导损耗显著减少，特别适合高效率要求的应用。
该器件的快速开关能力减少了开关损耗，同时其坚固的设计确保在恶劣环境下的稳定运行。由于具备较低的栅极电荷和总电容，驱动电路设计也更加简单。
SSM6N16FE 广泛用于各种电力电子设备中，包括但不限于：
- 开关模式电源（SMPS）
- DC-DC 转换器
- 电机驱动与控制
- UPS 系统
- 工业自动化设备
- LED 驱动电路
- 电池管理模块
IRFZ44N
FDP17N10
STP16NF06L
