类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：600V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大连续漏极电流(Id)：12A
　　导通电阻(Rds(on))：0.42Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TO-220、TO-262、TO-263等
　　功率耗散(Pd)：125W
　　阈值电压(Vgs(th))：2V ~ 4V
　　输入电容(Ciss)：1500pF（典型值）
　　反向恢复时间(trr)：快速恢复二极管集成
　　

SSH12N60B具有多项优异的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件具备较高的栅极稳定性，能够在较宽的栅压范围内可靠工作。此外，SSH12N60B采用了先进的平面工艺技术，提高了器件的热稳定性和耐用性，适用于高工作温度环境。
　　该MOSFET还具备快速开关特性，能够减少开关损耗，适用于高频开关电源和电机驱动等应用。集成的快速恢复二极管（FRD）也提升了其在感性负载应用中的性能，降低了反向恢复损耗，提高了整体系统的可靠性。
　　从封装角度来看，SSH12N60B通常采用TO-220或TO-263等标准封装形式，便于散热和安装，适用于多种电路布局需求。其标准化的引脚设计也有助于简化电路设计和替换过程。

SSH12N60B广泛应用于各种功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机控制器、照明驱动器以及工业自动化设备等。在开关电源中，该器件可用作主开关元件，负责高效地将输入电能转换为所需的输出电压。在电机控制应用中，SSH12N60B能够承受较大的电流波动，并提供稳定的开关性能，确保电机运行的平稳性。
　　此外，该MOSFET也适用于太阳能逆变器、电池管理系统（BMS）以及电动汽车充电模块等新兴应用领域。由于其具备良好的热管理和高效能特性，因此在高功率密度和高可靠性要求的系统中表现出色。同时，集成的快速恢复二极管也使其在处理感性负载时更加安全可靠，避免因反向电动势造成的损坏。

STP12N60, FQP12N60, IRFGB40N60, IHW30N60