时间：2025/9/2 10:21:29
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HY27UU08AG5M-TPCB 是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的NAND闪存芯片，广泛应用于嵌入式系统、移动设备和固态存储设备中。这款芯片采用8位并行接口，具备较高的读写速度和可靠性，适用于需要大容量数据存储的应用场景。
容量：512MB
电压范围：2.7V - 3.6V
接口类型：8位并行 NAND 接口
封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
页面大小：2KB
块大小：128KB
擦写寿命：10万次
数据保存时间：10年
HY27UU08AG5M-TPCB 是一款高性能的NAND闪存芯片，采用先进的制造工艺，具备较高的存储密度和较低的功耗。其8位并行接口支持高速数据传输，适用于对存储速度有较高要求的系统。该芯片支持ECC（错误校正码）功能，能够在数据读取过程中自动纠正错误，提升数据存储的可靠性。
该芯片的TSOP封装形式使其在PCB布局上具有良好的兼容性，适用于各种嵌入式系统设计。其宽电压范围（2.7V至3.6V）使得它能够在不同的电源条件下稳定工作，适用于便携式设备和工业级应用。
此外，HY27UU08AG5M-TPCB 具备较强的抗干扰能力和良好的数据保持特性，在恶劣的环境条件下依然能够保持数据完整性，适合长期运行的系统。
该芯片广泛应用于智能手机、平板电脑、数字相机、固态硬盘（SSD）、嵌入式系统和工业控制设备中，作为系统存储介质用于存储操作系统、应用程序和用户数据。
HY27UF084G2M-TPCB，K9F5608U0C-SIB0，MT29F4G08ABADA
