SSG4930N 时间：2025/6/17 16:24:12 阅读：4

SSG4930N是一款N沟道增强型功率MOSFET，适用于多种电源管理和开关应用。该器件具有较低的导通电阻和良好的开关性能，能够在高频条件下高效运行。
　　SSG4930N采用TO-252封装形式，使其在有限的空间内提供高效的散热性能，适合紧凑型设计。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：3.6A
　　导通电阻：120mΩ
　　栅极电荷：8nC
　　总电容（输入、输出、反向传输）：270pF
　　工作温度范围：-55℃ to +150℃

特性

SSG4930N的主要特点是低导通电阻和高开关速度，这使得其在功耗方面表现优异。
　　1. 具有极低的Rds(on)，从而减少传导损耗并提高效率。
　　2. 高速开关能力，能够适应高频DC-DC转换器和其他开关应用。
　　3. 提供出色的雪崩能力和鲁棒性，确保在异常条件下的可靠性。
　　4. 封装小巧，便于表面贴装和散热管理。
　　5. 低栅极电荷有助于降低驱动损耗，并进一步提升整体系统效率。

应用

SSG4930N广泛应用于各种需要功率控制和高效开关的场景。
　　1. 开关模式电源（SMPS），如适配器、充电器等。
　　2. 直流-直流转换器（DC-DC Converter）。
　　3. 电机驱动与控制电路。
　　4. 背光LED驱动电路。
　　5. 各类负载开关和保护电路。
　　6. 工业自动化中的功率调节和分配模块。