SSF9N80是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等电力电子领域。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性,能够有效提升系统的效率和可靠性。SSF9N80通常采用TO-220或TO-263(D2PAK)等封装形式,便于散热和安装。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS):800V
连续漏极电流(ID):9A(在25°C)
栅源电压(VGS):±30V
导通电阻(RDS(on)):约0.85Ω(最大值)
栅极电荷(Qg):18nC(典型值)
漏源击穿电压(BVDSS):800V
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:TO-220、TO-263
SSF9N80具有优异的电气性能和热稳定性,其主要特性包括:
? 高耐压能力:漏源电压可达800V,适用于高电压应用场景,如开关电源和工业控制设备。
? 低导通电阻:RDS(on)典型值为0.85Ω,有助于降低导通损耗,提高系统效率。
? 快速开关特性:具备较低的栅极电荷(Qg)和输出电容(Coss),可实现高速开关操作,适用于高频变换器设计。
? 高可靠性:采用优质封装材料和制造工艺,确保在高电流和高温环境下稳定运行。
? 过热保护能力:能够在高温下自动降低电流,防止器件损坏,提高系统安全性。
? 高抗雪崩能力:具备一定的雪崩能量承受能力,可在瞬态过压条件下保护器件。
这些特性使得SSF9N80在电源管理、马达驱动、LED照明和消费类电子产品中得到广泛应用。
SSF9N80适用于多种高电压、中等电流的功率电子系统,包括:
? 开关电源(SMPS):用于AC/DC和DC/DC转换器中的主开关器件,提高转换效率并减小体积。
? 电机控制:在变频器和伺服驱动器中作为功率开关,实现电机的精确控制。
? 负载开关:用于控制高电压负载的通断,如工业设备中的加热元件或照明系统。
? 逆变器:在太阳能逆变器和UPS系统中作为功率开关元件,提高能量转换效率。
? LED驱动器:用于恒流电源设计,提供稳定的工作电流。
? 电池管理系统:在高压电池组中作为充放电控制开关,确保系统安全运行。
STF9N80、FQA9N80、IRF9N80、K2543、FDPF9N80