SSF8N90A 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高压功率MOSFET晶体管,采用先进的SuperMESH技术,具备低导通电阻、高耐压和优异的开关性能。该器件广泛用于开关电源、DC-DC转换器、UPS系统以及工业控制等高要求应用。SSF8N90A 采用TO-220封装,具有良好的散热性能和可靠性,适合在高功率密度和高效率设计中使用。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电压(VDS):900V
最大漏极电流(ID):8A
导通电阻(RDS(on)):1.1Ω(最大)
栅极电压(VGS):±30V
漏极功耗(PD):40W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-220
SSF8N90A 是一款高性能的N沟道MOSFET,采用了STMicroelectronics的SuperMESH技术,显著降低了导通电阻并提高了开关速度。其最大漏极电压为900V,能够在高电压环境下稳定工作,适用于需要高耐压的应用场景。该器件的导通电阻仅为1.1Ω,使得在导通状态下功率损耗较低,提高了整体系统的效率。
此外,SSF8N90A 的栅极电压范围为±30V,具备良好的栅极保护能力,防止因过高的栅极电压而导致的损坏。其最大漏极电流为8A,在高电流应用中表现出色,适用于各种电源转换和控制电路。
SSF8N90A 主要应用于需要高耐压和高效能的功率电子设备中。典型应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、不间断电源(UPS)、电机驱动器、工业自动化设备、照明控制系统和电源管理模块。由于其高耐压能力和低导通电阻,该器件在高电压输入条件下仍能保持良好的效率和稳定性,适用于多种高功率密度设计。
STF8N90A, STP8NK90Z, FQA8N90C, 2SK2545