SSF8N90A 时间：2025/8/25 6:07:22 阅读：30

SSF8N90A 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高压功率MOSFET晶体管，采用先进的SuperMESH技术，具备低导通电阻、高耐压和优异的开关性能。该器件广泛用于开关电源、DC-DC转换器、UPS系统以及工业控制等高要求应用。SSF8N90A 采用TO-220封装，具有良好的散热性能和可靠性，适合在高功率密度和高效率设计中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（VDS）：900V
　　最大漏极电流（ID）：8A
　　导通电阻（RDS(on)）：1.1Ω（最大）
　　栅极电压（VGS）：±30V
　　漏极功耗（PD）：40W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

SSF8N90A 是一款高性能的N沟道MOSFET，采用了STMicroelectronics的SuperMESH技术，显著降低了导通电阻并提高了开关速度。其最大漏极电压为900V，能够在高电压环境下稳定工作，适用于需要高耐压的应用场景。该器件的导通电阻仅为1.1Ω，使得在导通状态下功率损耗较低，提高了整体系统的效率。
　　此外，SSF8N90A 的栅极电压范围为±30V，具备良好的栅极保护能力，防止因过高的栅极电压而导致的损坏。其最大漏极电流为8A，在高电流应用中表现出色，适用于各种电源转换和控制电路。

应用

SSF8N90A 主要应用于需要高耐压和高效能的功率电子设备中。典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、工业自动化设备、照明控制系统和电源管理模块。由于其高耐压能力和低导通电阻，该器件在高电压输入条件下仍能保持良好的效率和稳定性，适用于多种高功率密度设计。