TPN1600ANH 时间：2025/8/2 6:32:30 阅读：24

TPN1600ANH 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理和功率转换应用。该器件设计用于在高电压和高电流条件下工作，具备良好的热稳定性和低导通电阻特性，适合用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：100V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：160A（在Tc=25℃时）
　　导通电阻（Rds(on)）：5.3mΩ（最大值，Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装类型：TO-263（D2PAK）
　　功耗（Pd）：200W

特性

TPN1600ANH 具备多项优异特性，使其适用于高功率应用环境。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了系统效率并减少了热量产生。其次，该MOSFET具有高电流承载能力，额定连续漏极电流高达160A，适用于高负载条件下的稳定运行。此外，该器件的封装形式为TO-263（D2PAK），这种表面贴装封装具有良好的热传导性能，有助于提高散热效率。
　　在可靠性方面，TPN1600ANH 采用先进的沟槽式MOSFET结构，优化了电场分布，增强了器件的耐压能力。其宽广的工作温度范围（-55℃至150℃）确保了在极端环境下的稳定性，适用于工业级和汽车电子系统。此外，该器件的栅极驱动电压范围宽，可在+10V至+20V之间正常工作，兼容多种驱动电路设计。
　　TPN1600ANH 还具备快速开关特性，缩短了开关过程中的能量损耗，进一步提高了系统的整体效率。同时，其内部寄生二极管具有较高的反向恢复能力，能够在高频开关应用中保持稳定运行。这些特性共同使得TPN1600ANH 成为高性能功率转换和管理应用的理想选择。

应用

TPN1600ANH 主要应用于需要高电流和高效率的功率电子系统中。其典型应用包括同步整流式DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、负载开关控制、电源管理模块以及汽车电子系统中的功率控制单元。此外，由于其优异的导通性能和热稳定性，该MOSFET也常用于服务器电源、通信设备电源模块以及工业自动化控制系统中的高功率开关电路。