晶体管类型：NPN晶体管阵列
　　封装类型：SOT-223
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：80 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：80 V
　　最大功耗（Pd）：300 mW
　　直流电流增益（hFE）：110（最小值，典型值取决于具体等级）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　过渡频率（fT）：100 MHz
　　安装类型：表面贴装

LBAP64LBST5G 是一款高性能的NPN晶体管阵列，其内部集成了四个独立且参数匹配的NPN晶体管单元，每个晶体管均可独立使用。该器件具有较高的电压耐受能力，集电极-发射极电压最大可达80 V，适用于中高压开关和放大应用。每个晶体管的最大集电极电流为100 mA，足以满足大多数低功耗电路的需求。此外，LBAP64LBST5G 采用SOT-223封装，具有良好的热性能和较小的PCB占用空间，非常适合用于高密度电路设计。晶体管之间的匹配性较好，适用于需要一致性较高的多路信号处理或驱动电路。其过渡频率（fT）为100 MHz，使其在高频应用中也具有良好的响应特性。该器件还具有较低的饱和压降和快速开关特性，有助于提高电路效率并减少功耗。LBAP64LBST5G 适用于各种通用放大器、逻辑电平转换、LED驱动、继电器控制以及数字开关电路等应用场景。

LBAP64LBST5G 主要用于需要多个NPN晶体管的电路设计中，如消费类电子产品中的信号放大与开关控制、工业自动化系统中的继电器或LED驱动电路、通信设备中的信号处理模块，以及汽车电子中的控制单元。该器件的高集成度和优良的电气性能使其成为替代多个分立晶体管的理想选择。

ULN2003A, TIP122, BCX56, BC846, 2N3904