型号：LQLBMF1608T470K
　　品牌：ROHM
　　封装类型：1608（0603）
　　电容值：47pF
　　容差：±10%
　　额定电压：50V
　　温度特性：X7R（±15%变化，-55°C ~ +125°C）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　介质类别：Class Ⅱ
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　端接类型：镍阻挡层 + 哑光锡
　　抗弯强度：高（专有结构设计）
　　适用焊接工艺：回流焊（无铅）
　　是否符合RoHS：是

LQLBMF1608T470K采用了ROHM独有的高介电常数陶瓷材料与精密叠层技术，使其在微小尺寸下仍能保持优异的电容稳定性与可靠性。其核心特性之一是具备出色的抗弯曲裂纹能力，这是通过在内部电极与外部电极之间引入缓冲结构以及优化端子电极形状实现的。在实际应用中，当PCB发生弯曲或热胀冷缩时，传统MLCC容易因应力集中而产生裂纹，进而导致短路或漏电流增大；而该型号通过结构创新显著降低了此类失效概率，特别适用于对长期稳定性要求较高的场景。
　　该电容器的温度特性符合EIA X7R标准，意味着在-55°C到+125°C的整个工作温度范围内，电容值的变化不超过±15%，这对于需要在不同环境条件下维持电路性能一致性的应用至关重要。同时，由于其属于Class Ⅱ介质材料，相较于Class Ⅰ（如C0G/NP0）虽然直流偏压特性略逊一筹，但在相同体积下可提供更高的电容密度，因此更适合用于电源去耦、信号耦合及中等精度的滤波电路。
　　在电气性能方面，LQLBMF1608T470K具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），这使得它在高频工作状态下依然能够有效发挥去耦作用，抑制电源噪声，提升系统EMI性能。此外，该器件经过严格的可靠性测试，包括高温储存、温度循环、耐湿性试验等，确保在恶劣环境下长期稳定运行。其端电极采用三层电镀结构（铜-镍-锡），增强了可焊性和耐腐蚀性，支持自动光学检测（AOI）和高速贴片机作业，提升了生产效率与良率。

LQLBMF1608T470K主要用于各类电子设备中的去耦、滤波和旁路电路。在便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该电容器常被用作处理器或射频模块的电源去耦元件，以消除高频噪声并稳定供电电压。其小型化封装适应了这些产品对空间高度集成的需求。在通信基础设施领域，例如基站、光模块和路由器中，该器件可用于信号路径的交流耦合和阻抗匹配网络，保障高速数据传输的完整性。
　　在计算机及其外设系统中，该电容常见于内存模块、主板电源管理单元以及接口电路中，起到稳定电压、减少瞬态干扰的作用。工业控制系统和汽车电子模块（非动力系统）也广泛采用此类电容器，因其能在较宽温度范围和复杂电磁环境中可靠工作。此外，在医疗电子设备、测试仪器和智能家居控制器中，LQLBMF1608T470K也被用于模拟前端滤波、ADC/DAC参考电压旁路等关键位置，以提高系统的测量精度和抗干扰能力。由于其符合无铅环保标准，适用于全球市场的出口产品设计。

CL21A470KAQNNNE
　　GRM188R71H470KA01D
　　C1608X7R1H470K