LBR2012T470M 时间：2025/12/27 9:31:08 阅读：12

LBR2012T470M是一款由松下（Panasonic）生产的多层陶瓷电容器（MLCC），属于其高性能LBR系列。该系列电容器专为需要高稳定性和可靠性的电子应用而设计，尤其适用于便携式设备和高密度电路板布局。LBR2012T470M的尺寸为2012（公制代码），即2.0mm x 1.25mm，符合EIA标准的0805封装尺寸。该器件的标称电容值为47μF，允许偏差为±20%（M级精度）。它采用X5R型介电材料，这种材料具有良好的温度稳定性，能够在-55°C至+85°C的温度范围内保持电容值变化在±15%以内。由于采用了先进的叠层结构和高纯度陶瓷介质，该电容器具备低等效串联电阻（ESR）和低漏电流特性，适合用于去耦、滤波和旁路等关键电源管理功能。此外，LBR2012T470M支持回流焊工艺，符合RoHS环保要求，广泛应用于消费类电子产品、通信设备、工业控制系统以及汽车电子等领域。作为一款大容量小型化MLCC，它在替代传统钽电容和铝电解电容方面表现出色，能够有效减小PCB占用面积并提升系统整体可靠性。

参数

型号：LBR2012T470M
　　制造商：Panasonic
　　封装尺寸：2012 (0805)
　　电容值：47μF
　　容差：±20%
　　额定电压：6.3V DC
　　介电材料：X5R
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　温度特性：±15% (X5R)
　　直流偏压特性：典型值在额定电压下电容下降约50%-60%
　　等效串联电阻（ESR）：低，具体值需参考数据手册
　　绝缘电阻：≥500MΩ 或 ≥100Ω·F
　　耐焊接热：符合IEC 61249-2-21标准
　　产品系列：LBR系列

特性

LBR2012T470M具备多项优异的电气与机械特性，使其成为现代高密度电子设计中的理想选择。首先，其采用X5R介电材料，确保了在宽温度范围内（-55°C至+85°C）电容值的稳定性，变化幅度控制在±15%以内，这对于需要长期稳定运行的应用至关重要。其次，该电容器通过先进的陶瓷叠层技术实现了在小型封装内达到47μF的大容量输出，显著提升了单位体积的储能密度，解决了空间受限设计中的难题。相较于传统的电解电容或钽电容，LBR2012T470M无极性结构避免了反接风险，同时具备更高的抗浪涌能力和更长的使用寿命。该器件具有极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），这使得它在高频去耦和噪声抑制方面表现卓越，特别适用于开关电源输出端的滤波电路中，可有效降低输出纹波电压。此外，其良好的直流偏压特性虽然在6.3V工作电压下会有一定电容衰减（通常在50%-60%之间），但在实际应用中仍能提供足够的有效电容以满足大多数去耦需求。LBR2012T470M还具备出色的机械强度和抗热冲击能力，经过优化设计可承受多次回流焊过程而不影响性能，适用于自动化SMT贴装工艺。其端电极采用镍阻挡层和锡覆盖结构（Ni-Sn电极），增强了耐潮湿性和可焊性，确保长期使用的可靠性。更重要的是，该产品符合RoHS指令和无卤素要求，适应全球环保法规趋势。对于追求小型化、高可靠性和高性能的电源系统设计而言，LBR2012T470M提供了极具吸引力的解决方案。
　　

应用

LBR2012T470M广泛应用于各类对空间和性能均有较高要求的电子设备中。在移动通信领域，常用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备的电源管理单元（PMU）中，作为DC-DC转换器的输入/输出滤波电容，发挥其低ESR和快速响应的优势，有效抑制电压波动和电磁干扰。在消费类电子产品如数码相机、便携式游戏机和蓝牙耳机中，该电容器用于为处理器、存储器和其他高速数字电路提供稳定的去耦支持，保障信号完整性。在工业控制与自动化系统中，LBR2012T470M被部署于传感器模块、PLC控制器和人机界面设备中，用于电源稳压和噪声滤除，提升系统的抗干扰能力。此外，在汽车电子应用中，尽管其非AEC-Q200认证版本不适用于严苛环境下的主控系统，但可用于车身电子、车载信息娱乐系统等次级电路中，特别是在12V电源轨的局部滤波场景下表现良好。在计算机外围设备如固态硬盘（SSD）、USB集线器和网络路由器中，该器件也常用于为FPGA、ASIC和微控制器供电路径提供旁路功能。得益于其小型化特性和高容量优势，LBR2012T470M还能替代部分体积较大的钽电容，从而减少PCB布局空间并降低整体物料成本。总体而言，凡是需要在有限空间内实现高效电源去耦和稳定电压供应的场合，LBR2012T470M都是一种值得信赖的选择。
　　