SSF5N90A 时间：2025/8/25 5:06:04 阅读：7

SSF5N90A是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各类功率开关电路中。这款MOSFET采用了先进的平面工艺制造，具备较高的耐压能力和较低的导通电阻，适用于高效率和高功率密度的设计需求。SSF5N90A的封装形式通常为TO-220或TO-252（DPAK），便于散热和安装。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：900V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　漏极电流（Id）：5A（最大）
　　导通电阻（Rds(on)）：约2.5Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220或TO-252（DPAK）

特性

SSF5N90A具有较高的耐压能力，漏源电压可达到900V，使其适用于高电压应用场合，如AC-DC电源适配器、开关电源和工业控制系统。其导通电阻相对较低，有助于减少导通损耗，提高整体效率。此外，该器件具备良好的热稳定性和过载能力，能够在较高温度环境下稳定工作。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，通常可在10V至20V之间正常工作，这使其兼容多种驱动电路设计。其封装形式（如TO-220或TO-252）提供了良好的散热性能，有助于延长器件寿命并提高系统可靠性。
　　SSF5N90A在设计中还具备一定的抗静电能力和短路保护能力，能够在一定程度上抵御静电放电（ESD）和瞬态过流冲击，从而提高系统的鲁棒性。这种特性使其在工业自动化、家电控制、照明系统以及电源模块中得到了广泛应用。