时间：2025/9/6 11:06:34
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G697L250TOUF是一款由东芝（Toshiba）制造的功率MOSFET晶体管，广泛用于需要高效率和高性能功率管理的电子设备中。这款MOSFET具有较高的漏源击穿电压和较低的导通电阻，适用于各种开关电源、电机控制和负载开关应用。
类型：功率MOSFET
封装类型：TO-220
漏源电压（VDS）：250V
栅源电压（VGS）：±30V
最大漏极电流（ID）：7A（连续）
导通电阻（RDS(on)）：约1.2Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C至150°C
功率耗散（PD）：50W
晶体管配置：单N沟道
G697L250TOUF具有出色的电气性能和可靠性，适用于各种高功率应用场景。其较高的漏源击穿电压使其能够应对较高电压的负载切换需求。此外，该MOSFET的低导通电阻特性有助于降低功率损耗，提高系统效率。该器件采用TO-220封装形式，具有良好的热管理和散热性能，适用于紧凑型设计。G697L250TOUF还具备较高的抗静电能力和温度稳定性，能够在恶劣环境中稳定运行。
G697L250TOUF的栅极驱动电压范围较宽，通常可以在10V至20V之间工作，这使得其能够与多种驱动电路兼容。同时，该器件的快速开关特性有助于减少开关损耗，提高整体系统性能。由于其优异的性能指标，G697L250TOUF在电源管理、工业自动化、电机控制等领域得到了广泛应用。
该MOSFET还具有较低的漏电流和栅极漏电流，这有助于降低待机功耗并提高系统的能效。此外，G697L250TOUF的封装设计提供了良好的机械稳定性和易于安装的特点，适用于大批量生产和手工焊接。
G697L250TOUF适用于多种功率电子应用，包括但不限于开关电源（SMPS）、电机驱动器、直流-直流转换器、负载开关、电池管理系统以及工业控制设备。此外，该MOSFET还可用于逆变器、UPS（不间断电源）系统和电源管理模块等场合。
2SK2545, 2SK1530, IRF640N
