G697L250TOUF是一款由东芝(Toshiba)制造的功率MOSFET晶体管,广泛用于需要高效率和高性能功率管理的电子设备中。这款MOSFET具有较高的漏源击穿电压和较低的导通电阻,适用于各种开关电源、电机控制和负载开关应用。
类型:功率MOSFET
封装类型:TO-220
漏源电压(VDS):250V
栅源电压(VGS):±30V
最大漏极电流(ID):7A(连续)
导通电阻(RDS(on)):约1.2Ω(典型值)
工作温度范围:-55°C至150°C
功率耗散(PD):50W
晶体管配置:单N沟道
G697L250TOUF具有出色的电气性能和可靠性,适用于各种高功率应用场景。其较高的漏源击穿电压使其能够应对较高电压的负载切换需求。此外,该MOSFET的低导通电阻特性有助于降低功率损耗,提高系统效率。该器件采用TO-220封装形式,具有良好的热管理和散热性能,适用于紧凑型设计。G697L250TOUF还具备较高的抗静电能力和温度稳定性,能够在恶劣环境中稳定运行。
G697L250TOUF的栅极驱动电压范围较宽,通常可以在10V至20V之间工作,这使得其能够与多种驱动电路兼容。同时,该器件的快速开关特性有助于减少开关损耗,提高整体系统性能。由于其优异的性能指标,G697L250TOUF在电源管理、工业自动化、电机控制等领域得到了广泛应用。
该MOSFET还具有较低的漏电流和栅极漏电流,这有助于降低待机功耗并提高系统的能效。此外,G697L250TOUF的封装设计提供了良好的机械稳定性和易于安装的特点,适用于大批量生产和手工焊接。
G697L250TOUF适用于多种功率电子应用,包括但不限于开关电源(SMPS)、电机驱动器、直流-直流转换器、负载开关、电池管理系统以及工业控制设备。此外,该MOSFET还可用于逆变器、UPS(不间断电源)系统和电源管理模块等场合。
2SK2545, 2SK1530, IRF640N