容量：256Kbit
　　组织结构：16K x 16位
　　电压：5V（Vcc）
　　访问时间：15ns（最大）
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　封装引脚数：54引脚

HM5221605TT15R SRAM芯片以其高速访问时间和稳定性著称。该芯片的最大访问时间为15纳秒，这使得它在需要快速读写操作的应用中表现出色。其256Kbit的存储容量以16K x 16位的结构组织，适合处理较大数据宽度的任务，如高速缓存或临时数据存储。
　　这款芯片采用54引脚TSOP封装，具有较小的体积和良好的散热性能，适合高密度PCB设计。其工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）使其能够在各种恶劣环境中稳定运行，适用于工业控制、网络设备和通信系统等对可靠性要求较高的应用。
　　此外，HM5221605TT15R采用静态存储技术，不需要刷新操作，因此功耗相对较低，且数据保持时间不受限制，只要电源持续供电，数据就不会丢失。这种特性使其在需要持续存储关键数据的系统中尤为有用。

HM5221605TT15R广泛应用于各种需要高速数据访问和可靠存储的电子系统中。典型应用包括工业控制系统、网络路由器和交换机、通信基站设备、测试仪器以及嵌入式系统中的高速缓存或临时数据存储区域。
　　由于其高速访问特性和工业级工作温度范围，这款SRAM芯片也常用于自动化设备和高端消费电子产品中。例如，在需要快速响应和高稳定性的工控设备中，HM5221605TT15R可以作为主控制器的缓存，提高系统运行效率。在网络设备中，它可用于存储临时路由信息或高速数据缓冲，从而提升数据传输性能。

CY7C1021B-15ZSXC, IDT71V416S15PFG, IS61LV25616-15TL