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SSD2N60S5 发布时间 时间:2025/8/25 2:59:53 查看 阅读:15

SSD2N60S5 是一款由 Silan(士兰微电子)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动、逆变器以及各种功率控制电路中。该器件具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性,适合中高功率应用场合。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  最大漏源电压 Vds:600V
  最大栅源电压 Vgs:±30V
  最大连续漏极电流 Id:2A(Tc=25℃)
  导通电阻 Rds(on):≤3.5Ω(Vgs=10V)
  最大功耗 Pd:50W
  工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  封装形式:TO-220

特性

SSD2N60S5 采用了先进的高压沟槽工艺,具备优异的开关性能和导通损耗表现。其主要特性包括:
  1. 高耐压能力:漏源击穿电压高达 600V,适用于高压电源转换系统;
  2. 低导通电阻:Rds(on) 最大为 3.5Ω,在导通状态下能够减少功率损耗,提高系统效率;
  3. 高可靠性:具有良好的热稳定性和抗雪崩能力,确保在高负载和瞬态条件下稳定运行;
  4. 高速开关特性:具备较快的开关速度,适合用于高频开关电路;
  5. 宽工作温度范围:适用于工业级和车规级应用场景;
  6. 封装形式为 TO-220,便于安装和散热设计,适用于多种 PCB 布局。
  这些特性使得 SSD2N60S5 在电源适配器、LED 驱动器、马达控制、家用电器以及工业自动化设备中得到了广泛应用。

应用

SSD2N60S5 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):用于 AC/DC 或 DC/DC 转换器中的主开关器件;
  2. LED 照明驱动:作为恒流控制或 PWM 调光开关;
  3. 电机控制:用于直流电机、步进电机的驱动电路;
  4. 家用电器:如电磁炉、电饭煲等产品中的功率控制;
  5. 工业控制:如 PLC、继电器驱动、变频器中的功率开关;
  6. 新能源设备:太阳能逆变器、储能系统中的功率开关元件。

替代型号

FQP2N60、2N60、STP2N60、K2N60

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