SSD2N60S5 时间：2025/8/25 2:59:53 阅读：26

SSD2N60S5 是一款由 Silan（士兰微电子）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动、逆变器以及各种功率控制电路中。该器件具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，适合中高功率应用场合。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：600V
　　最大栅源电压 Vgs：±30V
　　最大连续漏极电流 Id：2A（Tc=25℃）
　　导通电阻 Rds(on)：≤3.5Ω（Vgs=10V）
　　最大功耗 Pd：50W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220

特性

SSD2N60S5 采用了先进的高压沟槽工艺，具备优异的开关性能和导通损耗表现。其主要特性包括：
　　1. 高耐压能力：漏源击穿电压高达 600V，适用于高压电源转换系统；
　　2. 低导通电阻：Rds(on) 最大为 3.5Ω，在导通状态下能够减少功率损耗，提高系统效率；
　　3. 高可靠性：具有良好的热稳定性和抗雪崩能力，确保在高负载和瞬态条件下稳定运行；
　　4. 高速开关特性：具备较快的开关速度，适合用于高频开关电路；
　　5. 宽工作温度范围：适用于工业级和车规级应用场景；
　　6. 封装形式为 TO-220，便于安装和散热设计，适用于多种 PCB 布局。
　　这些特性使得 SSD2N60S5 在电源适配器、LED 驱动器、马达控制、家用电器以及工业自动化设备中得到了广泛应用。

应用

SSD2N60S5 主要应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：用于 AC/DC 或 DC/DC 转换器中的主开关器件；
　　2. LED 照明驱动：作为恒流控制或 PWM 调光开关；
　　3. 电机控制：用于直流电机、步进电机的驱动电路；
　　4. 家用电器：如电磁炉、电饭煲等产品中的功率控制；
　　5. 工业控制：如 PLC、继电器驱动、变频器中的功率开关；
　　6. 新能源设备：太阳能逆变器、储能系统中的功率开关元件。