类型：双极型晶体管阵列
　　集电极-发射极电压：50V
　　集电极电流：100mA
　　功耗：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 125°C
　　封装类型：14引脚 SOIC
　　增益带宽积：250MHz
　　输入偏置电流：50nA
　　输出短路保护：具备

ULS2013R-883 拥有卓越的电气性能和热稳定性，其设计优化了功耗和高频响应，适用于复杂电子环境中的信号放大和开关控制。该器件的双极型晶体管阵列结构提供了良好的电流增益，确保了信号处理的高效性。此外，ULS2013R-883具备过载保护功能，能够有效防止因短路或过电流引起的损坏。
　　在制造方面，ULS2013R-883采用了先进的半导体工艺，使其在高温和恶劣环境下依然能够保持稳定的性能。这种特性使其特别适合用于航空航天和军事领域，这些应用场景对元器件的可靠性和耐久性有极高的要求。此外，ULS2013R-883的紧凑封装设计节省了电路板空间，提高了整体设计的灵活性。
　　该器件的输入偏置电流较低，有助于减少电路的静态功耗，同时保持较高的信号增益。增益带宽积为250MHz，使其能够胜任高频信号处理任务，适用于射频（RF）和高速数字电路设计。ULS2013R-883的封装设计还具有良好的散热性能，确保在高负载条件下器件能够稳定运行。

ULS2013R-883 被广泛应用于多个高端电子系统领域。在工业控制中，它常用于信号放大、逻辑控制和电源管理。由于其高频特性和稳定性，ULS2013R-883也被用于射频（RF）模块和通信设备中，作为信号处理和功率放大的关键组件。在航空航天领域，该器件用于飞行控制系统、导航设备和卫星通信模块，满足极端环境下的可靠性需求。此外，ULS2013R-883还被用于测试和测量设备、自动化系统以及嵌入式控制系统中，为这些应用提供高性能的电子解决方案。

ULS2013R, ULS2013RM, ULS2013