SSC8033GS6是一款N沟道增强型MOSFET功率晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换和其他功率管理应用中。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,从而提高了效率并降低了能耗。
SSC8033GS6在小型化封装的同时保持了高性能,适合对空间和功耗要求较高的设计场景。
型号:SSC8033GS6
类型:N-Channel MOSFET
Vds(漏源极电压):30V
Rds(on)(导通电阻,典型值):4.5mΩ
Id(连续漏极电流):12A
Qg(栅极电荷):13nC
Vgs(th)(栅极开启电压):1V ~ 2.5V
f(t)(工作频率范围):高达1MHz
封装形式:SOT-223
工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
SSC8033GS6具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著降低传导损耗。
2. 快速开关速度,支持高频应用。
3. 小型封装设计,便于集成到紧凑型电路中。
4. 宽工作温度范围,适应各种环境条件。
5. 较高的栅极阈值电压稳定性,确保可靠运行。
6. 高耐压能力,能够在较高电压下稳定工作。
这些特点使得SSC8033GS6成为高效能功率转换和控制的理想选择。
SSC8033GS6适用于以下应用场景:
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC/DC转换器中的功率开关。
3. 电池保护和管理系统。
4. 电机驱动和负载切换。
5. 消费电子产品的电源管理。
6. 工业自动化设备中的功率控制。
其高效的性能和可靠性使其成为众多功率电子应用的理想解决方案。
SSC8033G, IRFZ44N, FDP17N10