F1700AA06 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的功率场效应晶体管(MOSFET),属于N沟道增强型功率MOSFET。该器件广泛应用于电源转换、电机控制、DC-DC转换器以及各种高功率电子系统中。F1700AA06具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压能力和良好的热稳定性,适用于需要高效率和高性能的应用场景。
类型:N沟道
漏源电压(Vds):60V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):170A(在Tc=25℃)
功耗(Ptot):300W
导通电阻(Rds(on)):最大6mΩ(在Vgs=10V时)
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装类型:TO-247
晶体管配置:单管
F1700AA06 的核心优势在于其极低的导通电阻,这使其在高电流应用中具有更低的导通损耗,从而提高系统效率。该MOSFET采用先进的沟槽式(Trench)技术制造,提供了优异的开关性能和更高的热效率。
其高电流承载能力和耐压性能使其在电源管理和功率转换系统中表现优异,例如用于DC-DC转换器、同步整流器和电机驱动器等。此外,F1700AA06具有良好的热稳定性和抗过载能力,能够在高温度环境下稳定工作。
该器件的TO-247封装形式提供了良好的散热性能,并便于安装在散热片或PCB上,适用于高功率密度的设计需求。同时,该封装也具有较强的机械强度,适合工业级和汽车级应用环境。
F1700AA06 常见于各种高功率电子设备中,例如:
1. 电源管理系统,如服务器电源、电信电源和工业电源;
2. DC-DC转换器,用于提高能量转换效率;
3. 电机控制和驱动电路,特别是在电动汽车和工业自动化系统中;
4. 负载开关和电源分配系统;
5. 同步整流电路,用于提升电源转换效率;
6. 高功率LED驱动器和电池充电系统。
STP170N6F7AG, FDP170N65D3, STP170N6F7DJ