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STP9NB50 发布时间 时间:2025/7/22 14:24:28 查看 阅读:8

STP9NB50是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型功率MOSFET,具有高耐压和低导通电阻的特点。该器件广泛用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统,如开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种工业控制设备中。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):9A
  漏源击穿电压(VDS):500V
  栅源击穿电压(VGS):±30V
  导通电阻(RDS(on)):0.85Ω(最大值)
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:TO-220、D2PAK等
  功率耗散:125W

特性

STP9NB50的主要特性之一是其高耐压能力,漏源击穿电压(VDS)高达500V,使其适用于高电压应用环境。该器件的导通电阻较低,最大值为0.85Ω,有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,STP9NB50具备良好的热稳定性和高功率耗散能力,能够在高温环境下稳定工作。
  其栅源击穿电压为±30V,提供较强的栅极控制能力,同时具备良好的抗过载能力。该MOSFET的封装形式多样,包括TO-220和D2PAK等,便于在不同电路设计中使用,并有助于散热。STP9NB50的工作温度范围宽,从-55°C到+150°C,适应性强,适合工业级应用需求。
  在动态性能方面,STP9NB50具有快速开关能力,减少开关损耗,提高整体系统效率。该器件还具备较高的短路耐受能力,增强了其在恶劣工作环境下的可靠性。

应用

STP9NB50广泛应用于多种电力电子设备中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制电路、照明驱动器以及工业自动化控制系统。其高耐压和低导通电阻特性使其在高压电源管理领域具有显著优势。例如,在反激式或正激式开关电源中,STP9NB50可用作主开关元件,实现高效的能量转换。在电机控制中,该器件可用于驱动直流电机或步进电机,提供稳定的功率输出。
  此外,STP9NB50还可用于UPS(不间断电源)、变频器、电焊机等设备中,作为核心功率开关元件。在LED照明系统中,该MOSFET可用于恒流驱动电路,确保光源稳定运行。其高可靠性和良好的热性能使其在长期运行的工业设备中表现出色。

替代型号

STP9NK50Z, STP8NM50, STP7NK50

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STP9NB50参数

  • 制造商STMicroelectronics
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压500 V
  • 闸/源击穿电压+/- 30 V
  • 漏极连续电流8.6 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.85 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-220
  • 封装Tube
  • 下降时间11 ns
  • 最小工作温度- 65 C
  • 功率耗散125 W
  • 上升时间11 ns
  • 工厂包装数量50