SSBC847BLT1G 时间：2025/8/14 0:34:33 阅读：12

SSBC847BLT1G 是由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款NPN型双极性晶体管（BJT），属于通用型晶体管，适用于多种电子电路设计。该晶体管采用SOT-23封装，具有较高的可靠性和稳定性，广泛应用于开关电路、放大电路以及数字逻辑电路中。

参数

类型：NPN型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Pd）：300 mW
　　电流增益（hFE）：110至800（根据不同的工作电流和型号后缀）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

SSBC847BLT1G 具有以下显著特性：首先，其高电流增益（hFE）范围（110至800），使得它在小信号放大和开关应用中表现优异。其次，该晶体管的最大集电极电流为100 mA，集电极-发射极电压和集电极-基极电压均为30 V，使其能够在中等功率环境下稳定运行。
　　此外，SSBC847BLT1G 采用SOT-23封装，体积小巧，适合高密度PCB布局。其最大功耗为300 mW，能够在较高的环境温度下保持良好的热稳定性。晶体管的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种工业和消费类电子设备。
　　该器件还具有快速开关特性，适用于高频开关应用。同时，其低饱和电压（Vce_sat）特性在开关状态下有助于降低功耗，提高系统效率。
　　安森美半导体为该系列晶体管提供了详尽的技术文档和SPICE模型支持，便于工程师在电路仿真和设计中使用。

应用

SSBC847BLT1G 广泛应用于多种电子系统中，包括但不限于以下领域：在数字电路中，它常被用作开关晶体管，控制LED、继电器、小型电机等负载。在模拟电路中，它可用于音频放大、信号放大以及电压跟随器等应用。
　　在电源管理电路中，该晶体管可用于稳压器、DC-DC转换器以及电池充电电路中的开关元件。在射频（RF）电路中，由于其良好的高频响应，可作为小信号放大器使用。
　　此外，该晶体管在工业控制、通信设备、消费电子产品以及汽车电子系统中均有广泛应用。例如，在汽车电子中可用于控制灯光、传感器信号放大以及车载娱乐系统的音频放大模块。
　　其高稳定性和宽工作温度范围也使其成为工业自动化设备和户外通信设备中的理想选择。