MT18B102K101CT 是一款动态随机存取存储器(DRAM),属于 Micron Technology 生产的内存芯片系列。该芯片广泛应用于计算机、服务器和其他需要高性能数据存储和访问的电子设备中。其设计旨在提供高速数据传输和可靠的存储性能,支持多种主流接口协议。
这款 DRAM 芯片采用了先进的制程工艺,确保在低功耗的情况下实现高效的运行性能。同时,它具有高密度存储能力,适用于对内存容量要求较高的应用环境。
类型:DRAM
容量:1 Gb (128Mb x 8)
组织结构:512M x 8
电压:1.35V / 1.5V
速度:DDR3-1600
封装形式:FBGA
引脚数:96
工作温度:-40°C 至 +85°C
数据宽度:x8
I/O 标准:SSTL-15
MT18B102K101CT 的主要特性包括:
1. 高速数据传输能力,支持 DDR3 接口标准,最大数据传输速率为 1600 MT/s。
2. 采用 FBGA 封装形式,具备小型化和高可靠性的特点。
3. 支持多种工作电压选项(1.35V 和 1.5V),以满足不同设备的功耗需求。
4. 具备严格的时序控制和信号完整性,确保在高频操作下的稳定性。
5. 宽泛的工作温度范围(-40°C 至 +85°C),适合各种工业及消费类应用场景。
6. 提供高密度存储方案,适用于需要大容量内存的应用场合。
MT18B102K101CT 广泛应用于以下领域:
1. 计算机和服务器:为台式电脑、笔记本电脑和服务器提供高性能内存支持。
2. 工业自动化设备:在需要实时数据处理和存储的工业环境中使用。
3. 网络通信设备:如路由器、交换机等网络基础设施设备。
4. 嵌入式系统:支持复杂的嵌入式计算任务。
5. 消费类电子产品:例如高清电视、游戏机等对内存性能要求较高的产品。
MT18B1G8M8HZ-1G IT, MT18B1G8M8NT-1G IT