类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：20A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤28mΩ（典型值）
　　功耗（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

SS20100FL T/R的主要特性之一是其低导通电阻，使其在高电流应用中能够减少功率损耗并提高效率。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供更高的性能和可靠性。
　　此外，SS20100FL T/R具备高耐压特性，最大漏源电压为100V，使其适用于多种中高压功率转换场合。栅源电压容限为±20V，提供较好的栅极控制稳定性，避免栅极击穿的风险。
　　该MOSFET采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的散热性能，适合在紧凑型电源设计中使用。该封装形式也便于表面贴装，提高了生产效率和焊接可靠性。
　　在开关性能方面，SS20100FL T/R具有快速开关能力，能够减少开关损耗，提高整体系统效率。这使其在开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用中表现出色。
　　此外，该器件具有较高的热稳定性，可在高温环境下稳定运行，增强了系统的可靠性和寿命。

SS20100FL T/R广泛应用于各类电源管理系统和功率电子设备中。例如，在开关电源（SMPS）中，该MOSFET可作为主开关器件，实现高效的能量转换。在DC-DC转换器中，该器件可用于升压（Boost）或降压（Buck）电路，实现稳定的电压调节功能。
　　该MOSFET也常用于负载开关控制，如电池管理系统、电源分配单元和智能电表等应用。其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于高效率的负载开关设计。
　　此外，SS20100FL T/R还可用于电机驱动电路、LED照明驱动器和工业自动化控制系统中，提供高效的功率控制解决方案。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、车身控制模块和电动工具等应用。
　　由于其良好的热性能和封装设计，SS20100FL T/R也适用于高密度PCB布局，满足现代电子设备对小型化和高效能的需求。

IRFZ44N, STP20NF10, FDPF20N10