时间：2025/9/14 6:26:32
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BUK7631-100E,118 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的 Trench肖特基技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统。该 MOSFET 采用 TO-220AB 封装，适合于工业控制、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用。
类型：N 沟道
漏源电压（Vds）：100 V
栅源电压（Vgs）：±20 V
连续漏极电流（Id）：42 A
导通电阻 Rds(on)：最大 29 mΩ（在 Vgs=10V）
功耗（Ptot）：160 W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-220AB
BUK7631-100E,118 具有多个关键性能优势：
首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流工作条件下，功率损耗最小化，从而提高了整体效率。
其次，该器件具备良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定运行，适合用于散热条件有限的系统中。
此外，其高雪崩能量耐受能力增强了器件在电压尖峰和瞬态条件下的可靠性，延长了使用寿命。
该 MOSFET 还具有快速开关特性，适用于高频开关应用，如同步整流和DC-DC转换器。
最后，TO-220AB封装形式不仅提供了良好的散热能力，还便于安装在散热片上，增强了系统的机械稳定性和可维护性。
BUK7631-100E,118 主要应用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统中，例如：
在电源管理方面，该器件适用于多相位 VRM（电压调节模块）、DC-DC 转换器和负载开关电路。
在工业控制领域，可用于电机驱动器、继电器驱动和电源分配系统。
在汽车电子方面，该 MOSFET 可用于车载充电系统、电池管理系统和电动助力转向系统。
此外，其高频开关特性也使其成为同步整流器、电源适配器和开关电源（SMPS）中的理想选择。
由于其高可靠性和耐久性，也广泛用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和储能系统等新能源应用。
IPB045N10N3, STD100N10F7AG, IRLB8721PbF
