型号：SVC347A-TL-E
　　制造商：Sivers Semiconductors
　　工作频率范围：24 GHz 至 30 GHz
　　增益：典型值 22 dB
　　噪声系数：典型值 2.5 dB
　　OIP3（三阶交调截点）：典型值 +15 dBm
　　输入匹配：S11 < -10 dB（典型）
　　输出匹配：S22 < -10 dB（典型）
　　工作电压：3.3 V
　　静态电流：典型值 45 mA
　　功耗：约 148.5 mW
　　封装类型：QFN，带接地焊盘
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装尺寸：3 mm × 3 mm × 0.9 mm（近似）

SVC347A-TL-E具有优异的低噪声放大性能，专为毫米波频段的高灵敏度接收链路设计。其典型噪声系数仅为2.5 dB，在24 GHz至30 GHz频段内实现了极低的信号引入噪声，显著提升了接收机的信噪比和整体灵敏度，适用于远距离或弱信号环境下的稳定通信。该器件具备22 dB的高增益能力，能够有效补偿前端滤波器和开关带来的插入损耗，确保整个射频路径有足够的信号强度传输至后续混频器或ADC。增益平坦度控制良好，在全频段内波动小于±1.5 dB，有助于维持系统响应的一致性。
　　该LNA具备出色的线性性能，OIP3达到+15 dBm，表明其在处理高强度干扰信号时仍能保持良好的信号保真度，避免产生过多的非线性失真产物，这对于密集部署的5G网络尤为重要。输入和输出端口均经过片内匹配优化，使得S11和S22在全频段内均优于-10 dB，降低了对外部匹配元件的依赖，缩短了开发周期并减小了PCB面积占用。器件采用3.3 V单电源供电，静态电流典型值为45 mA，兼顾了高性能与能效需求，适合长时间运行的固定无线接入设备。
　　SVC347A-TL-E集成度高，内置偏置电路和稳定网络，无需额外的直流阻塞电容即可实现交流耦合操作。其QFN封装带有底部接地焊盘，提供了良好的热管理和电磁屏蔽性能，增强了高频工作的稳定性。该芯片在-40°C至+85°C的宽温度范围内性能稳定，适用于户外基站和极端气候条件下的部署。制造工艺基于先进的GaAs pHEMT技术，保证了高频特性和长期可靠性。此外，产品通过了严格的质量认证，符合工业级应用标准，适合大规模商用部署。

SVC347A-TL-E主要应用于毫米波频段的无线通信系统，特别是在5G NR n257（26.5–29.5 GHz）、n258（24.25–27.5 GHz）和n261（27.5–28.35 GHz）频段中作为接收链路的关键增益模块。它广泛用于5G固定无线接入（FWA）客户终端设备（CPE），提升家庭和企业宽带接入的速率与覆盖范围。在小型基站和微基站中，该LNA可用于多通道相控阵天线的每个射频前端通道，配合波束成形IC实现动态波束指向和空间复用。此外，该器件也适用于点对点（PtP）和点对多点（PMP）无线回传系统，尤其是在城市密集区域替代光纤布线的高速连接方案。
　　在工业物联网（IIoT）和智能城市基础设施中，SVC347A-TL-E可用于高带宽传感器数据回传和实时视频监控传输系统。其高增益和低噪声特性使其成为雷达和感知系统中的理想选择，例如车载毫米波雷达测试平台或无人机通信链路。科研机构和高校在开发毫米波实验平台、软件定义无线电（SDR）系统或太赫兹前向兼容研究时，也会选用此类高性能LNA进行原型验证。此外，该芯片还可集成于卫星通信终端、高空平台站（HAPS）及低轨卫星地面站中，支持未来空天地一体化网络建设。由于其小尺寸和表面贴装特性，特别适合高度集成的模块化设计，如AiP（Antenna-in-Package）或SoP（System-on-Package）架构。

SVC347AM-TL-E
　　Qorvo QPL9057
　　Analog Devices HMC1040LC5
　　Infineon BGA286x