类型：肖特基势垒二极管
　　配置：单二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：40V
　　平均整流电流（IO）：1A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A（8.3ms 半正弦波）
　　正向压降（VF）：典型值 0.48V，最大值 0.55V（在 IF = 1A 条件下）
　　最大反向漏电流（IR）：0.5mA（在 VR = 40V，TA = 25°C）
　　反向恢复时间（trr）：≤ 5ns
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　封装：SMA（DO-214AC）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：2
　　湿度敏感等级（MSL）：1（<260°C）
　　符合标准：RoHS、无卤素（Halogen-free）

SS14M RSG 的核心优势在于其肖特基势垒结构所带来的低正向导通压降与极短的反向恢复时间。该器件在 1A 正向电流下的典型正向压降仅为 0.48V，最大不超过 0.55V，显著低于传统 PN 结二极管（通常为 0.7V 以上）。这一特性有效降低了导通损耗，提高了电源系统的整体转换效率，尤其在低电压输出的开关电源（如 3.3V、5V 或 12V 输出）中效果尤为明显。此外，由于肖特基二极管属于多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此其反向恢复时间极短，典型值小于 5ns。这一特点使其在高频开关应用中表现出色，能够有效减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），提升系统稳定性。
　　该器件采用 SMA 封装（DO-214AC），具有较小的占板面积和良好的散热性能，适用于自动化贴片生产工艺，满足现代电子产品小型化、高密度组装的需求。SMA 封装还具备较高的机械强度和焊接可靠性，适合回流焊工艺。SS14M RSG 支持高达 30A 的峰值浪涌电流（8.3ms 半正弦波），能够在电源启动或负载突变时承受瞬时大电流冲击，增强了系统的鲁棒性。其反向漏电流在 40V 偏置下不超过 0.5mA（25°C），虽然高于普通 PN 二极管，但在正常工作温度范围内仍处于可接受水平。
　　该器件的工作结温范围宽达 -65°C 至 +125°C，适用于工业级和消费级应用环境。其存储温度范围更广，可达 -65°C 至 +150°C，确保在运输和长期存储过程中不会因极端温度而损坏。产品符合 RoHS 和无卤素要求，符合现代绿色电子产品的环保标准。总体而言，SS14M RSG 凭借其高效、紧凑、可靠的设计，成为众多电源拓扑结构中的关键元件，特别适合用于同步整流替代、防反接保护、续流二极管和 OR-ing 电路等应用场景。

SS14M RSG 广泛应用于各类需要高效、高频整流的电子电路中。常见用途包括开关模式电源（SMPS）中的次级整流，尤其是在低电压、大电流输出的 AC-DC 和 DC-DC 转换器中，利用其低正向压降优势提升效率。它也常用于电池充电管理电路中作为隔离二极管，防止电池反向放电。在便携式设备如智能手机、平板电脑、笔记本电脑中，该器件可用于电源路径管理或电压轨切换。此外，SS14M RSG 适用于逆变器、LED 驱动电源、适配器和 USB 供电（USB PD）设备中的整流与保护环节。
　　在直流电源系统中，该二极管可作为续流二极管（Flyback Diode）用于继电器、电机或电感负载的反电动势吸收，保护开关器件（如 MOSFET 或晶体管）免受高压击穿。在太阳能充电控制器或 UPS 系统中，它可用于防反接保护，防止电池极性接反损坏主电路。由于其快速响应特性，也可用于高频整流电路和射频检波应用。在通信设备和网络设备的电源模块中，SS14M RSG 常被用于多路电源冗余设计（OR-ing 电路），实现电源热插拔和无缝切换。此外，该器件还可用于电压钳位、ESD 保护辅助电路以及逻辑电平移位电路中，发挥其快速响应和低损耗的优势。

1N5819WS-13-F, SBM140ALT3G, MBRM140, SS14, SMS340ATC