时间：2025/5/16 17:48:18
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NGTG35N65FL2WG是一款由 Nexperia（原飞利浦半导体分立器件部门）生产的高压功率MOSFET，采用TO-263-3L封装形式。该器件属于N沟道增强型MOSFET，主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效能和高可靠性的电路中。
这款MOSFET的设计旨在提供低导通电阻和高效率，同时具有快速开关速度和出色的热性能。它适用于要求严格的工作环境，能够承受较高的电压和电流负载。
最大漏源电压：650V
最大连续漏极电流：35A
导通电阻：180mΩ
栅极阈值电压：4V
功耗：297W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
NGTG35N65FL2WG 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力，额定漏源电压为650V，适合在高压环境下使用。
2. 低导通电阻（Rds(on)），典型值为180mΩ，在高频开关条件下可减少功率损耗。
3. 快速开关速度，降低开关过程中的能量损失。
4. TO-263-3L 封装提供了良好的散热性能，能够有效管理热量。
5. 极宽的工作温度范围（-55°C至+175°C），确保其在极端环境下的稳定运行。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际规范要求。
该MOSFET广泛应用于各种工业和消费类电子领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源(SMPS)，如AC-DC适配器和充电器等。
2. DC-DC转换器，用于电压调节和电源管理。
3. 电机驱动电路，控制直流无刷电机或步进电机。
4. 电池管理系统(BMS)，监控和保护锂离子电池组。
5. 汽车电子设备，例如电动助力转向系统(EPAS)和电动车窗控制。
6. 太阳能逆变器，将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。
IRFZ44N
STP36NF06
FQP50N06L
