类型：NPN 双极型晶体管（BJT）
　　封装形式：SMA（表面贴装）
　　最大集电极电流（Ic）：1.0 A
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Ptot）：30 W
　　工作温度范围：-65°C 至 +200°C
　　频率范围：最高可达 1 GHz
　　增益（hFE）：典型值 100（测试条件：Ic=150mA, Vce=5V）
　　过渡频率（fT）：250 MHz
　　输出功率：在 900 MHz 下可达 5 W
　　匹配阻抗：50 Ω 输入/输出

SS13 T/R 射频晶体管具备优异的射频性能和高稳定性。其主要特性包括：
　　? 高功率增益：在 UHF 和 VHF 频率范围内提供出色的功率增益，适合用于中功率射频放大器设计。
　　? 高频响应：适用于高达 1 GHz 的射频应用，广泛用于 GSM、CDMA、WCDMA 等无线通信系统。
　　? 高可靠性：采用高质量的硅材料和封装技术，确保在高功率和高温环境下稳定运行。
　　? 热稳定性好：内部结构设计优化了热传导路径，减少热失效风险，延长使用寿命。
　　? 高线性度：在放大器应用中表现出良好的线性度，有助于减少信号失真，提高通信质量。
　　? 低失真：适合用于要求高保真的音频和射频放大应用。
　　? 封装紧凑：SMA 封装便于 PCB 布局和散热设计，适合现代高频电路的小型化需求。
　　这些特性使 SS13 T/R 成为一款适用于多种射频功率放大场合的高性能晶体管。

SS13 T/R 主要用于以下应用领域：
　　? 射频功率放大器：适用于 GSM、CDMA、WCDMA 等移动通信系统中的中功率放大器设计。
　　? 无线基础设施：如基站放大器、中继器、无线接入点等设备。
　　? 广播设备：用于 FM 和 TV 广播发射器中的射频功率放大级。
　　? 工业与医疗射频设备：如射频加热、等离子体发生器等。
　　? 实验室仪器：如射频信号发生器、功率放大模块等测试设备。
　　? 军事与航空航天：用于需要高可靠性和高稳定性的特殊通信系统。
　　由于其高频特性和良好的热稳定性，SS13 T/R 也适用于一些高线性度要求的模拟放大电路。

2N3866, BFG520, BFQ57, MRF5711, 2SC3355