HM628512LTT7A 是由 Hitachi(现为 Renesas)生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为512Kbit(64K x 8)。该芯片采用高性能CMOS技术制造,具有低功耗和高速访问的特点,适用于需要快速数据存取的嵌入式系统和工业控制设备。
容量:512Kbit (64K x 8)
组织方式:x8
电源电压:3.3V 或 5V(根据具体版本)
访问时间:55ns、70ns 等可选
封装类型:TSOP
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
封装尺寸:54引脚 TSOP
数据保持电压:最低可至2V
自动低功耗模式:支持
HM628512LTT7A 是一款高性能的异步SRAM,具备出色的读写速度和稳定性。其55ns的访问时间使其适用于高速缓存和实时系统中的数据存储需求。该芯片支持低功耗模式,在待机状态下可以显著降低功耗,适用于电池供电或对功耗敏感的应用场景。此外,其CMOS工艺不仅提升了芯片的抗干扰能力,还增强了其热稳定性和长期可靠性。芯片内部采用全静态设计,无需刷新操作,简化了系统设计的复杂度。
该芯片的TSOP封装形式具有较小的封装尺寸和优良的散热性能,适合高密度电路设计。其宽泛的工作电压范围(3.3V 或 5V)增强了在不同系统平台上的兼容性。此外,HM628512LTT7A 符合RoHS环保标准,符合现代电子产品对无铅和环保材料的要求。
HM628512LTT7A 主要用于需要快速数据存取的嵌入式系统、工业控制器、通信设备、网络路由器、测试仪器以及手持式电子设备等场景。由于其高速和低功耗的特性,也常用于需要临时数据存储和缓存功能的场合,例如图像处理、数据缓冲、高速缓存存储等应用。其工业级温度范围使其适用于恶劣环境下的稳定运行。
CY62148EVLL-45ZXC, IS62WV5128BLL-55BLI, A62F8512A-70PU