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LF25CDT-TRY 发布时间 时间:2025/7/23 14:06:45 查看 阅读:3

LF25CDT-TRY 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件专为高效能功率转换应用设计,具有低导通电阻、高电流容量和快速开关性能。LF25CDT-TRY 采用 DPAK(TO-252)封装形式,适用于表面贴装技术,便于在紧凑型 PCB 设计中使用。

参数

类型:N 沟道
  漏源电压(Vds):200V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):30A
  导通电阻(Rds(on)):0.085Ω(最大)
  功率耗散(Ptot):125W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

LF25CDT-TRY 的主要特点之一是其低导通电阻(Rds(on)),这有助于减少导通状态下的功率损耗,提高系统效率。该器件在高电流负载下仍能保持稳定的性能,适用于高功率密度设计。
  此外,LF25CDT-TRY 具有优异的热稳定性与抗雪崩击穿能力,能够在恶劣的工作环境中保持可靠性。其 ±20V 的栅极电压耐受能力也使其适用于多种驱动电路,避免因过高的栅极电压而导致器件损坏。
  该 MOSFET 还具备快速开关特性,降低了开关损耗,适用于高频开关电源、DC-DC 转换器和电机控制等应用。DPAK 封装不仅具有良好的散热性能,还支持表面贴装工艺,简化了生产流程并提高了装配效率。
  LF25CDT-TRY 的设计还考虑了环境保护,符合 RoHS 指令要求,无铅且不含卤素,适用于绿色电子产品的制造。

应用

LF25CDT-TRY 主要应用于各类功率电子设备中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、电池充电器、电机驱动器、逆变器以及工业自动化控制系统。其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于高效率电源转换系统,如服务器电源、电信设备电源以及新能源系统中的功率调节模块。
  在电机控制方面,LF25CDT-TRY 可用于无刷直流电机(BLDC)和步进电机的驱动电路中,提供快速响应和稳定运行。在汽车电子领域,该器件也可用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)以及其他高可靠性要求的汽车电源管理应用。
  此外,LF25CDT-TRY 还广泛应用于太阳能逆变器和储能系统中,作为关键的功率开关元件,确保能量转换的高效与稳定。

替代型号

IRFZ44N, FDPF30N20, STP30NF20, FQA30N20

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LF25CDT-TRY参数

  • 标准包装1
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - 稳压器 - 线性
  • 系列-
  • 稳压器拓扑结构正,固定式
  • 输出电压2.5V
  • 输入电压最高 16V
  • 电压 - 压降(标准)0.4V @ 500mA
  • 稳压器数量1
  • 电流 - 输出500mA
  • 电流 - 限制(最小)-
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装剪切带 (CT)
  • 其它名称497-10196-1