时间：2025/6/17 12:41:08
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GA0402A1R0BXAAC31G 是一款由罗姆（ROHM）生产的功率半导体芯片，属于 MOSFET 器件。该芯片具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于各种电源管理和功率转换应用。这款 MOSFET 面向工业和汽车电子领域设计，能够在高频和高效率条件下工作。
其封装形式为 LFPAK56D（Power-SO8），支持表面贴装技术（SMD），具备优异的散热性能，同时能够适应紧凑型电路设计。
类型：MOSFET
极性：N-Channel
VDS（漏源电压）：40V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：1.0mΩ
ID（连续漏电流）：160A
栅极电荷：7nC
总功耗：20W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装：LFPAK56D
GA0402A1R0BXAAC31G 是一款高度优化的功率 MOSFET，具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 (RDS(on))，在大电流应用中减少传导损耗，提高整体效率。
2. 超低栅极电荷 (Qg)，有助于实现更快的开关速度，从而降低开关损耗。
3. 工作温度范围宽广，适用于极端环境条件下的工业与汽车应用。
4. 表面贴装封装 (LFPAK56D)，简化 PCB 设计并提升散热能力。
5. 高电流承载能力，适合用于大功率 DC/DC 转换器、电机驱动和其他功率管理场景。
6. 符合 AEC-Q101 标准，确保其在汽车电子中的可靠性和稳定性。
GA0402A1R0BXAAC31G 主要应用于以下领域：
1. 汽车电子系统，如电动助力转向系统 (EPS)、制动控制单元 (BCU) 和车载充电器 (OBC)。
2. 工业设备中的高效 DC/DC 转换器和逆变器。
3. 大功率电机驱动，包括伺服电机和无刷直流电机 (BLDC) 控制。
4. 可再生能源设备中的功率转换模块，例如太阳能逆变器。
5. 通信基础设施中的电源管理系统。
这些应用都受益于其低损耗特性和高可靠性表现。
GA0402A1R0BHAAC31G
