SS1030FL是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于各种功率转换和开关电路中。它具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力的特点,适合于电源管理、电机驱动以及负载开关等应用。
型号:SS1030FL
类型:N-Channel MOSFET
VDS(漏源电压):30V
RDS(on)(导通电阻):1.2mΩ(典型值,条件为VGS=10V)
ID(连续漏极电流):54A
VGS(th)(阈值电压):2.5V(最大值)
f(工作频率):支持高频开关
封装:TO-263 (D2PAK)
工作温度范围:-55°C to +175°C
SS1030FL是一款高效能的功率MOSFET,其主要特点包括:
1. 极低的导通电阻RDS(on),这有助于减少导通损耗,提升整体效率。
2. 快速的开关速度,使得它适用于高频开关应用,例如DC-DC转换器和PWM控制器。
3. 高额定电流,能够承受高达54A的连续漏极电流,满足大功率应用的需求。
4. 小巧的TO-263封装形式,方便安装在紧凑的电路板设计中。
5. 广泛的工作温度范围,使其适应各种恶劣环境下的应用需求。
6. 低栅极电荷Qg,进一步优化了开关性能并降低了开关损耗。
这些特性使SS1030FL成为需要高性能和高效率的功率电子设备的理想选择。
SS1030FL适用于以下应用场景:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. 各种降压和升压转换器的核心元件。
3. 电池管理系统中的负载开关。
4. 汽车电子中的电机驱动和控制。
5. 工业自动化设备中的功率调节和保护电路。
6. 笔记本电脑和服务器电源适配器中的同步整流器。
该器件因其高效能和可靠性,在各类消费类电子产品、工业设备及汽车电子系统中均有着广泛的应用。
SSM3J338R
FDP5562
IRLZ44N
AON7719